| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 研究背景及其意义 | 第17-19页 |
| 1.2 SiC MOSFET高速驱动及保护研究综述 | 第19-20页 |
| 1.3 论文主要研究内容 | 第20-23页 |
| 第二章 SiC MOSFET高速开关理论研究 | 第23-49页 |
| 2.1 SiC MOSFET开关动态特性分析 | 第23-37页 |
| 2.1.1 理想开关和实际开关对比 | 第23-27页 |
| 2.1.2 MOSFET开关过程定性分析 | 第27-29页 |
| 2.1.3 MOSFET开关过程定量分析 | 第29-37页 |
| 2.2 SiC MOSFET并联均流特性分析 | 第37-41页 |
| 2.2.1 电流失衡概述 | 第37-38页 |
| 2.2.2 动态电流失衡原理分析 | 第38-41页 |
| 2.3 SiC MOSFET高速开关驱动的仿真研究 | 第41-48页 |
| 2.3.1 影响因素-驱动电阻 | 第41-42页 |
| 2.3.2 影响因素-驱动电压 | 第42-43页 |
| 2.3.3 影响因素-寄生电容 | 第43-45页 |
| 2.3.4 影响因素-温度T和阈值电压 | 第45-48页 |
| 2.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第三章 SiC MOSFET高速开关驱动保护模块设计和仿真 | 第49-85页 |
| 3.1 SiC MOSFET高速开关驱动保护要点分析 | 第49-52页 |
| 3.1.1 SiC MOSFET与Si功率器件参数对比 | 第49-50页 |
| 3.1.2 设计要点分析 | 第50-52页 |
| 3.2 功率模块设计 | 第52-53页 |
| 3.3 驱动模块设计 | 第53-59页 |
| 3.3.1 供电电源设计 | 第53-56页 |
| 3.3.2 隔离方式选择 | 第56-57页 |
| 3.3.3 缓冲器设计 | 第57-58页 |
| 3.3.4 栅极驱动网络设计 | 第58-59页 |
| 3.4 控制模块设计 | 第59-75页 |
| 3.4.1 动态均流控制 | 第60-62页 |
| 3.4.2 过欠压检测 | 第62-64页 |
| 3.4.3 过流检测 | 第64-68页 |
| 3.4.4 开关切换控制 | 第68-70页 |
| 3.4.5 工作过程分析 | 第70-75页 |
| 3.5 PSpice仿真分析 | 第75-84页 |
| 3.5.1 动态均流仿真 | 第75-78页 |
| 3.5.2 驱动保护仿真 | 第78-84页 |
| 3.6 本章小结 | 第84-85页 |
| 第四章 SiC MOSFET驱动保护模块样机制作与测试 | 第85-103页 |
| 4.1 样机制作 | 第85-88页 |
| 4.2 控制功能测试 | 第88-92页 |
| 4.2.1 死区时间测试 | 第88-89页 |
| 4.2.2 栅极过欠压保护控制测试 | 第89页 |
| 4.2.3 过流检测控制测试 | 第89-91页 |
| 4.2.4 动态均流控制测试 | 第91-92页 |
| 4.3 主电路测试 | 第92-102页 |
| 4.3.1 Boost变换器功能测试 | 第92-95页 |
| 4.3.2 钳位软关断测试 | 第95-96页 |
| 4.3.3 并联SiC MOSFET均流测试 | 第96-102页 |
| 4.4 本章小结 | 第102-103页 |
| 第五章 总结与展望 | 第103-105页 |
| 5.1 工作总结 | 第103-104页 |
| 5.2 工作展望 | 第104-105页 |
| 附录 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 作者简介 | 第111-112页 |
