基于垂直布里奇曼法的InSb和InI晶体生长及性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 半导体探测器研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 InSb及InI晶体的国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 课题研究的目的及意义 | 第12-13页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第13-15页 |
| 第2章 晶体生长基础 | 第15-22页 |
| 2.1 晶体生长技术简介 | 第15-16页 |
| 2.2 晶体缺陷 | 第16-21页 |
| 2.2.1 点缺陷 | 第17-18页 |
| 2.2.2 线缺陷 | 第18-20页 |
| 2.2.3 面缺陷 | 第20页 |
| 2.2.4 体缺陷 | 第20-21页 |
| 2.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 InSb单晶生长及其电学性能分析 | 第22-40页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 垂直布里奇曼法 | 第22-27页 |
| 3.2.1 坩埚设计 | 第22-23页 |
| 3.2.2 温场与固液界面 | 第23-24页 |
| 3.2.3 非均匀成核 | 第24-26页 |
| 3.2.4 成核速率 | 第26-27页 |
| 3.3 InSb的基本性质 | 第27-28页 |
| 3.3.1 InSb晶体的特性 | 第27页 |
| 3.3.2 InSb的晶体结构 | 第27-28页 |
| 3.4 InSb晶体制备 | 第28-33页 |
| 3.4.1 多晶合成与提纯 | 第28-30页 |
| 3.4.2 单晶生长 | 第30-32页 |
| 3.4.3 样品制备 | 第32-33页 |
| 3.5 InSb晶体性能表征 | 第33-38页 |
| 3.5.1 晶体结构分析 | 第34-35页 |
| 3.5.2 SEM-EDS分析 | 第35-36页 |
| 3.5.3 紫外可见吸收光谱 | 第36-37页 |
| 3.5.4 四探针电阻率测试 | 第37-38页 |
| 3.6 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 InI单晶生长及其电学性能分析 | 第40-53页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 InI的基本性质 | 第40-42页 |
| 4.2.1 InI晶体的特性 | 第40-41页 |
| 4.2.2 InI的晶体结构 | 第41-42页 |
| 4.3 InI晶体制备 | 第42-47页 |
| 4.3.1 多晶合成与提纯 | 第42-44页 |
| 4.3.2 单晶生长 | 第44-46页 |
| 4.3.3 样品制备 | 第46-47页 |
| 4.4 InI晶体性能表征 | 第47-52页 |
| 4.4.1 晶体结构分析 | 第47-48页 |
| 4.4.2 SEM-EDS分析 | 第48-49页 |
| 4.4.3 AFM分析 | 第49-50页 |
| 4.4.4 紫外可见吸收光谱 | 第50-51页 |
| 4.4.5 电阻率测试 | 第51-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
