| 中文摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 课题背景及研究意义 | 第10-11页 |
| 1.3 硅微纳米线的研究现状 | 第11-23页 |
| 1.3.1 硅材料介绍 | 第11-12页 |
| 1.3.2 硅微纳米线的常见制备方法 | 第12-15页 |
| 1.3.3 硅微纳米线的性能概述 | 第15-17页 |
| 1.3.4 硅微纳米线的应用 | 第17-23页 |
| 1.4 本论文研究的主要内容 | 第23-24页 |
| 第二章 实验方法及性能表征与测试 | 第24-36页 |
| 2.1 实验方法 | 第24-31页 |
| 2.1.1 有序硅微米线阵列的制备 | 第24-26页 |
| 2.1.2 Pt纳米颗粒的无电化学表面修饰 | 第26-27页 |
| 2.1.3 原子层沉积二氧化钛薄膜 | 第27-28页 |
| 2.1.4 硅纳米线阵列的制备 | 第28页 |
| 2.1.5 沉积-退火法制备赤铁矿薄膜 | 第28-29页 |
| 2.1.6 硅基微纳结构阵列光电极的制备 | 第29-30页 |
| 2.1.7 实验试剂及仪器设备 | 第30-31页 |
| 2.2 性能表征与测试 | 第31-36页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第31页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜(TEM) | 第31-32页 |
| 2.2.3 拉曼光谱分析(Raman spectroscopy) | 第32-33页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱分析（XPS） | 第33页 |
| 2.2.5 紫外-可见光分光光度计 | 第33-34页 |
| 2.2.6 少子寿命测量 | 第34页 |
| 2.2.7 硅基光电极的光电化学性能测试 | 第34-36页 |
| 第三章 金属辅助化学刻蚀法制备有序硅微米结构阵列 | 第36-47页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 化学刻蚀结果与分析 | 第36-42页 |
| 3.2.1 有序硅微米线阵列的可控制备 | 第36-37页 |
| 3.2.2 催化剂种类、厚度及刻蚀温度对硅微米线形貌的影响 | 第37-39页 |
| 3.2.3 刻蚀时间及氧化剂浓度对硅微米线形貌的影响 | 第39-42页 |
| 3.3 化学刻蚀过程中金属催化剂的迁移 | 第42-44页 |
| 3.4 硅微米孔的金属辅助化学刻蚀 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 有序硅微米线阵列的光电化学性能研究 | 第47-55页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 不同形貌硅微米线的光电化学性能研究 | 第47-48页 |
| 4.3 TiO_2/Pt@SiMWAS光电极的光电化学性能研究 | 第48-53页 |
| 4.3.1 Pt纳米颗粒修饰的SiMWAs光电极的光电化学性能研究 | 第48-50页 |
| 4.3.2 TiO_2表面钝化的Pt@SiMWAs光电极的光电化学性能研究 | 第50-53页 |
| 4.3.3 复合光电极光生载流子传输 | 第53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 赤铁矿薄膜/硅微纳米线阵列复合结构的光解水性能 | 第55-63页 |
| 5.1 引言 | 第55-56页 |
| 5.2 赤铁矿/硅微纳米线核壳双结光解水体系及原理 | 第56-57页 |
| 5.3 赤铁矿薄膜的形貌及光学性能表征 | 第57-59页 |
| 5.4 赤铁矿/硅微纳米线复合结构的光解水性能分析 | 第59-62页 |
| 5.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 全文工作总结 | 第63-64页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
