| 中文摘要 | 第3-6页 |
| 英文摘要 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| 1.1 研究背景和现状 | 第12-14页 |
| 1.2 本文的主要工作 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-18页 |
| 第二章 电容-电压-温度谱（C-V-T）、电流-电压-温度谱（J-V-T）测试系统的搭建和硬件特性介绍 | 第18-30页 |
| 2.1 阻抗和导纳的基本物理概念 | 第18-20页 |
| 2.1.1 阻抗和导纳的定义 | 第18页 |
| 2.1.2 基本理想电路元件的阻抗和导纳 | 第18-19页 |
| 2.1.3 理想电容和电阻的串联和并联模型 | 第19-20页 |
| 2.2 测量阻抗的基本方法和仪器 | 第20-23页 |
| 2.2.1 阻抗分析仪的分类 | 第20页 |
| 2.2.2 捷伦4284A LCR Meter 的主要功能 | 第20-21页 |
| 2.2.3 4284A LCR Meter 主要特性说明 | 第21-22页 |
| 2.2.4 16065A 外置电压式偏压测试盒 | 第22-23页 |
| 2.3 测量电流/电压的仪器 | 第23-26页 |
| 2.3.1 吉时利（Keithley）2400 源表 | 第23-24页 |
| 2.3.2 2400 源表的主要特性说明 | 第24-25页 |
| 2.3.3 吉时利（Keithley）2182 纳伏表 | 第25-26页 |
| 2.4 测量系统的硬件连接框架 | 第26-29页 |
| 2.4.1 电容-电压-温度谱（C-V-T）测试系统 | 第26-27页 |
| 2.4.2 电流-电压-温度谱（J-V-T）测试系统 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-30页 |
| 第三章 半导体电学特性测试系统的软件设计 | 第30-43页 |
| 3.1 软件开发平台 | 第30页 |
| 3.2 软件界面及操作 | 第30-40页 |
| 3.2.1 所开发的程序列表 | 第30-31页 |
| 3.2.2 零偏压下的电容－频率（C-f）谱测量程序 | 第31-35页 |
| 3.2.3 固定偏压下的电容－频率（C-f）谱测试程序 | 第35-37页 |
| 3.2.4 固定频率下的电容－电压（C-V）谱测量程序 | 第37-38页 |
| 3.2.5 电流－电压（J-V）谱测试程序 | 第38-40页 |
| 3.3 电容—电压谱测试系统的正确性验证 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 电容－电压谱测量的理论基础和C-V Matching方法 | 第43-55页 |
| 4.1 电容－电压谱测量PN结物理特性的基本理论 | 第43-46页 |
| 4.2 C-V Matching 方法的理论基础 | 第46-54页 |
| 4.2.1 C-V Matching 方法的基本思路 | 第46-47页 |
| 4.2.2 热平衡状态下的方程组 | 第47-49页 |
| 4.2.3 非平衡状态下的方程组 | 第49-52页 |
| 4.2.4 C-V Matching 方法的数值计算流程 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第五章 氢化纳米硅/单晶硅异质结二极管的电容—电压（C-V）谱和能带结构分析 | 第55-72页 |
| 5.1 氢化纳米硅/单晶硅异质结的样品生长和氢化纳米硅薄膜的光学特性表征 | 第55-62页 |
| 5.1.1 氢化纳米硅/单晶硅异质结的样品生长和尺寸结构 | 第55-56页 |
| 5.1.2 氢化纳米硅薄膜的X 射线衍射谱 | 第56-58页 |
| 5.1.3 氢化纳米硅薄膜的发光光谱（PL 谱） | 第58-59页 |
| 5.1.4 氢化纳米硅薄膜的拉曼光谱（Raman 谱） | 第59-60页 |
| 5.1.5 氢化纳米硅材料的其他特殊物理常数的计算 | 第60-62页 |
| 5.2 氢化纳米硅/单晶硅异质结二极管的C-V 谱分析和能带结构计算 | 第62-70页 |
| 5.2.1 样品C-V 谱的经典Anderson 模型分析 | 第62-66页 |
| 5.2.2 C-V Mathing 方法在异质结样品C-V 谱分析中的应用 | 第66-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第六章 氢化纳米硅/单晶硅异质结二极管的电流-电压（J-V）谱和输运机制分析 | 第72-86页 |
| 6.1 氢化纳米硅/单晶硅异质结二极管器件的变温J-V 谱和输运机制 | 第72-78页 |
| 6.1.1 氢化纳米硅/单晶硅异质结二极管器件的变温J-V谱 | 第72-73页 |
| 6.1.2 正向J-V谱的特征区域划分 | 第73-74页 |
| 6.1.3 二极管J-V特性的一般整流模型 | 第74-75页 |
| 6.1.4 氢化纳米硅/单晶硅异质结二极管器件在不同温度区域的输运特性分析 | 第75-78页 |
| 6.2 高有序度的氢化纳米硅/单晶硅异质结的周期性负微分电导现象 | 第78-85页 |
| 参考文献 | 第85-86页 |
| 第七章 结论 | 第86-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及获得的奖励 | 第89-92页 |
