| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 半金属材料的性质和应用 | 第10-14页 |
| 1.1.1 半金属材料的性质 | 第10-11页 |
| 1.1.2 半金属材料的应用 | 第11-14页 |
| 1.2 Heusler 合金的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.2.1 Heusler 合金的基本特征 | 第14-15页 |
| 1.2.2 Heusler 合金的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.3 稀磁半导体的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3.1 稀磁半导体的基本特征 | 第17页 |
| 1.3.2 稀磁半导体的研究进展 | 第17页 |
| 1.4 本论文的研究意义与主要内容 | 第17-20页 |
| 第二章 模拟软件的理论基础 | 第20-30页 |
| 2.1 第一性原理计算 | 第20-21页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第21-25页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn 定理：多体理论 | 第21-23页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham 方程：有效单体理论 | 第23-24页 |
| 2.2.3 局域密度近似（LDA） | 第24-25页 |
| 2.2.4 广义梯度近似（GGA） | 第25页 |
| 2.3 平面波基组和赝势方法 | 第25-28页 |
| 2.3.1 平面波基组 | 第25-26页 |
| 2.3.2 赝势方法 | 第26-28页 |
| 2.4 计算软件介绍 | 第28-29页 |
| 2.4.1 Materials Studio 简介 | 第28-29页 |
| 2.4.2 CASTEP 简介 | 第29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 掺杂对 Mn 基 Heusler 合金电子结构和磁性的影响 | 第30-40页 |
| 3.1 研究背景简介 | 第30页 |
| 3.2 计算方法和细节 | 第30-31页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第31-39页 |
| 3.3.1 几何结构 | 第31-33页 |
| 3.3.2 Mn2Co1-xCrxAl (x=0, 0.25, 0.5, 0.75, 1)的能带结构和态密度 | 第33-36页 |
| 3.3.3 Mn2Ti0.75M0.25Ga (M=Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu)的能带结构和态密度 | 第36-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 掺杂对稀磁半导体 BeTe 的电子结构和磁性的影响 | 第40-48页 |
| 4.1 研究背景简介 | 第40-41页 |
| 4.2 计算方法和细节 | 第41页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第41-47页 |
| 4.3.1 几何结构 | 第41-42页 |
| 4.3.2 Be15TMTe16(TM=Cr, Mn, Fe, Co, Ni)的稳定性 | 第42-43页 |
| 4.3.3 Be15TMTe16(TM=Cr, Mn, Fe, Co, Ni)的能带结构和态密度 | 第43-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 总结 | 第48-50页 |
| 展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 硕士阶段科研成果 | 第62页 |
