| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物材料的结构和基本性质 | 第10-12页 |
| 1.2 非极性AlGaN材料的研究意义 | 第12-16页 |
| 1.3 AlGaN材料的研究进展 | 第16-18页 |
| 1.4 非极性材料的特点及存在的问题 | 第18-21页 |
| 1.5 本论文的研究内容 | 第21页 |
| 1.6 本论文的创新性工作 | 第21-23页 |
| 2 MOCVD生长方法与表征方法简介 | 第23-34页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 MOCVD生长方法简介 | 第24-26页 |
| 2.3 外延生长的模式 | 第26-28页 |
| 2.4 材料表征方法 | 第28-32页 |
| 2.5 生长在r面蓝宝石的a面薄膜的特性 | 第32-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 a面AlGaN的成核层研究 | 第34-55页 |
| 3.1 r面蓝宝石衬底的氮化 | 第34-39页 |
| 3.2 a-AlN缓冲层的研究 | 第39-43页 |
| 3.3 低温AlN成核层的研究 | 第43-45页 |
| 3.4 高温AlN成核层的研究 | 第45-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 4 a面AlGaN薄膜的生长与优化 | 第55-82页 |
| 4.1 a-Al_(0.1)Ga_(0.9)N生长温度的优化 | 第56-59页 |
| 4.2 a-Al_(0.1)Ga_(0.9)N生长厚度研究 | 第59-62页 |
| 4.3 a-Al_(0.1)Ga_(0.9)N Ⅴ/Ⅲ比的优化 | 第62-66页 |
| 4.4 AlN/Al_(0.1)Ga_(0.9)N超晶格对a-Al_(0.1)Ga_(0.9)N的影响研究 | 第66-72页 |
| 4.5 a-Al_(0.1)Ga_(0.9)N n型掺杂研究 | 第72-76页 |
| 4.6 a-Al_(0.1)Ga_(0.9)N p型掺杂研究 | 第76-81页 |
| 4.7 本章小结 | 第81-82页 |
| 5 a面GaN/AlGaN量子阱研究 | 第82-88页 |
| 5.1 a面GaN/Al_(0.1)Ga_(0.9)N量子阱的生长 | 第82-84页 |
| 5.2 阱层厚度对GaN/Al_(0.1)Ga_(0.9)N量子阱的影响研究 | 第84-87页 |
| 5.3 本章小结 | 第87-88页 |
| 6 总结与展望 | 第88-91页 |
| 6.1 总结 | 第88-90页 |
| 6.2 展望 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-106页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第106页 |
