| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第12-13页 |
| 1.2 论文结构安排 | 第13-15页 |
| 参考文献 | 第15-16页 |
| 第二章 GaAs基1.55μm激光器的研究进展和激光器基本原理 | 第16-38页 |
| 2.1 半导体激光器和光纤通信系统 | 第16-18页 |
| 2.1.1 半导体激光器 | 第16-17页 |
| 2.1.2 光纤通信系统 | 第17-18页 |
| 2.2 InP/GaAs异变外延生长 | 第18-19页 |
| 2.3 GaAs基1.55μm波长半导体激光器 | 第19-24页 |
| 2.4 半导体激光器的基本理论 | 第24-33页 |
| 2.4.1 半导体激光器的基本原理 | 第24-27页 |
| 2.4.2 异质结激光器 | 第27-33页 |
| 本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-38页 |
| 第三章 外延材料的制备方法和表征手段 | 第38-50页 |
| 3.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第38-41页 |
| 3.2 材料性能表征手段 | 第41-48页 |
| 3.2.1 X射线衍射(XRD) | 第41-44页 |
| 3.2.2 光致荧光(PL) | 第44-45页 |
| 3.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第45-46页 |
| 3.2.4 ECV | 第46-47页 |
| 3.2.5 其他表征手段 | 第47-48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第四章 InP基1.55μm InGaAsP多量子阱激光器 | 第50-70页 |
| 4.1 InGaAs/InGaAsP多量子阱激光器的调试和外延生长 | 第50-63页 |
| 4.1.1 生长速度的调节 | 第52-53页 |
| 4.1.2 三元材料In_xGa_(1-x)As组分调节 | 第53-55页 |
| 4.1.3 四元材料In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)的调节 | 第55-59页 |
| 4.1.4 量子阱区域调节 | 第59-60页 |
| 4.1.5 掺杂调节 | 第60-63页 |
| 4.2 外延晶片测试 | 第63-64页 |
| 4.3 器件制备及性能测试 | 第64-66页 |
| 4.3.1 器件制备 | 第64-65页 |
| 4.3.2 性能测试 | 第65-66页 |
| 4.4 1.55μm应变补偿量子阱的研究 | 第66-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 第五章 InP/GaAs异变外延生长的研究 | 第70-84页 |
| 5.1 InP/GaAs异变外延生长 | 第70-74页 |
| 5.1.1 两步法生长 | 第70-72页 |
| 5.1.2 超晶格和循环退火 | 第72-74页 |
| 5.2 InP/GaAs异变外延低温缓冲层的位错分析 | 第74-77页 |
| 5.2.1 位错的产生机制 | 第74-76页 |
| 5.2.2 InP/GaAs异变外延生长中穿透位错密度计算 | 第76-77页 |
| 5.3 InP/GaAs缓冲层 | 第77-80页 |
| 5.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第六章 GaAs基1.55μmInGaAsP多量子阱激光器 | 第84-102页 |
| 6.1 异面宽接触条形激光器材料生长及器件测试(脉冲激射) | 第84-91页 |
| 6.1.1 GaAs基InGaAsP F-P腔激光器器件及性能测试 | 第84-89页 |
| 6.1.2 GaAs基InGaAsP应变补偿量子阱激光器 | 第89-91页 |
| 6.2 异面宽条激光器(室温连续激射) | 第91-95页 |
| 6.2.1 器件结构及其制备 | 第91页 |
| 6.2.2 性能测试分析 | 第91-95页 |
| 6.3 共面宽接触激光器 | 第95-98页 |
| 6.3.1 材料生长以及测试 | 第95-96页 |
| 6.3.2 器件制备及测试 | 第96-98页 |
| 6.3.3 共面GaAs基InGaAsP(应变补偿)激光器器件及性能测试 | 第98页 |
| 6.4 异面脊波导激光器的尝试 | 第98-100页 |
| 6.5 本章小结 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-102页 |
| 第七章 总结和展望 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 硕士期间发表论文 | 第106页 |
