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ZnS、ZnS:Mn纳米材料的制备及其光电器件性能研究

摘要第3-6页
Abstract第6-9页
第1章 绪论第12-26页
    1.1 引言第12-13页
    1.2 ZnS材料的结构和基本性质第13-14页
    1.3 ZnS的发光及研究现状第14-19页
        1.3.1 ZnS基质的发光及研究现状第14-17页
        1.3.2 Mn掺杂ZnS的发光及研究现状第17-19页
    1.4 ZnS纳米结构的研究现状第19-21页
    1.5 ZnS材料的应用前景第21-25页
        1.5.1 光电材料与器件第21-23页
        1.5.2 D/M/D透明导电薄膜第23-25页
    1.6 本文主要研究内容及意义第25-26页
第2章 实验方法及样品表征手段第26-35页
    2.1 ZnS材料的制备技术第26-30页
    2.2 样品的表征手段第30-35页
第3章 ZnS、ZnS:Mn薄膜及其纳米结构材料的制备和性能表征第35-65页
    3.1 ZnS薄膜的制备及其光学性质第35-39页
        3.1.1 ZnS薄膜的制备第35-36页
        3.1.2 ZnS薄膜的结构和光学特性第36-39页
    3.2 ZnS:Mn薄膜的制备及其光学特性第39-48页
        3.2.1 ZnS:Mn薄膜的制备第39页
        3.2.2 衬底温度对ZnS:Mn薄膜的结构和光学特性的影响第39-44页
        3.2.3 退火温度对ZnS:Mn薄膜的结构和光学特性的影响第44-48页
    3.3 ZnS纳米结构的制备与性能表征第48-61页
        3.3.1 引言第48-49页
        3.3.2 不同S源对ZnS纳米材料的结构和发光性质的影响第49-54页
        3.3.3 溶液浓度对ZnS纳米材料的结构和发光性质的影响第54-56页
        3.3.4 生长温度对ZnS纳米材料的结构和发光性质的影响第56-58页
        3.3.5 种子层对ZnS纳米材料的结构和发光性质的影响第58-61页
    3.4 ZnS:Mn纳米结构的制备与性能表征第61-63页
    3.5 本章小结第63-65页
第4章 ZnS:Mn/GaN复合体系的白光发射第65-95页
    4.1 引言第65-66页
    4.2 GaN衬底的性能表征第66-68页
    4.3 ZnS:Mn/GaN复合体系的白光发射第68-78页
        4.3.1 沉积温度对ZnS:Mn/GaN复合膜体系的结构和发光的影响第68-72页
        4.3.2 退火温度对ZnS:Mn/GaN复合膜体系的结构和发光的影响第72-75页
        4.3.3 GaN衬底上ZnS:Mn纳米颗粒的制备及白光发射第75-78页
    4.4 ZnS:Mn/ZnO/GaN复合膜体系及其核壳纳米棒阵列的白光发射第78-89页
        4.4.1 引言第78-79页
        4.4.2 ZnS:Mn/ZnO/GaN复合膜体系的制备及白光发射第79-83页
        4.4.3 ZnS:Mn/ZnO/GaN核壳纳米棒阵列的制备及白光发射第83-89页
    4.5 ZnS:Mn/ZnO/GaN核壳纳米棒阵列器件的电致发光初探第89-93页
    4.6 本章小结第93-95页
第5章 ZnS基ZAZ透明导电薄膜的制备及光电性能第95-116页
    5.1 引言第95-96页
    5.2 ZnS/Au/ZnS透明导电薄膜的制备及光电性能第96-110页
        5.2.1 ZnS/Au/ZnS透明导电薄膜的制备第96页
        5.2.2 Au层厚度对ZnS/Au/ZnS薄膜光电性能的影响第96-100页
        5.2.3 ZnS层厚度对ZnS/Au/ZnS薄膜光电性能的影响第100-103页
        5.2.4 衬底温度对ZnS/Au/ZnS薄膜光电性能的影响第103-107页
        5.2.5 退火温度对ZnS/Au/ZnS薄膜光电性能的影响第107-110页
    5.3 ZnS/Au/ZnO透明导电复合薄膜的制备及光电性能初探第110-114页
        5.3.1 引言第110-111页
        5.3.2 ZnS/Au/ZnO复合薄膜的制备第111页
        5.3.3 ZnS/Au/ZnO复合薄膜的光电性能初探第111-114页
    5.4 本章小结第114-116页
第6章 全文总结及展望第116-119页
参考文献第119-141页
在读期间发表的学术论文及研究成果第141-142页
致谢第142页

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