摘要 | 第3-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
第1章 绪论 | 第12-26页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 ZnS材料的结构和基本性质 | 第13-14页 |
1.3 ZnS的发光及研究现状 | 第14-19页 |
1.3.1 ZnS基质的发光及研究现状 | 第14-17页 |
1.3.2 Mn掺杂ZnS的发光及研究现状 | 第17-19页 |
1.4 ZnS纳米结构的研究现状 | 第19-21页 |
1.5 ZnS材料的应用前景 | 第21-25页 |
1.5.1 光电材料与器件 | 第21-23页 |
1.5.2 D/M/D透明导电薄膜 | 第23-25页 |
1.6 本文主要研究内容及意义 | 第25-26页 |
第2章 实验方法及样品表征手段 | 第26-35页 |
2.1 ZnS材料的制备技术 | 第26-30页 |
2.2 样品的表征手段 | 第30-35页 |
第3章 ZnS、ZnS:Mn薄膜及其纳米结构材料的制备和性能表征 | 第35-65页 |
3.1 ZnS薄膜的制备及其光学性质 | 第35-39页 |
3.1.1 ZnS薄膜的制备 | 第35-36页 |
3.1.2 ZnS薄膜的结构和光学特性 | 第36-39页 |
3.2 ZnS:Mn薄膜的制备及其光学特性 | 第39-48页 |
3.2.1 ZnS:Mn薄膜的制备 | 第39页 |
3.2.2 衬底温度对ZnS:Mn薄膜的结构和光学特性的影响 | 第39-44页 |
3.2.3 退火温度对ZnS:Mn薄膜的结构和光学特性的影响 | 第44-48页 |
3.3 ZnS纳米结构的制备与性能表征 | 第48-61页 |
3.3.1 引言 | 第48-49页 |
3.3.2 不同S源对ZnS纳米材料的结构和发光性质的影响 | 第49-54页 |
3.3.3 溶液浓度对ZnS纳米材料的结构和发光性质的影响 | 第54-56页 |
3.3.4 生长温度对ZnS纳米材料的结构和发光性质的影响 | 第56-58页 |
3.3.5 种子层对ZnS纳米材料的结构和发光性质的影响 | 第58-61页 |
3.4 ZnS:Mn纳米结构的制备与性能表征 | 第61-63页 |
3.5 本章小结 | 第63-65页 |
第4章 ZnS:Mn/GaN复合体系的白光发射 | 第65-95页 |
4.1 引言 | 第65-66页 |
4.2 GaN衬底的性能表征 | 第66-68页 |
4.3 ZnS:Mn/GaN复合体系的白光发射 | 第68-78页 |
4.3.1 沉积温度对ZnS:Mn/GaN复合膜体系的结构和发光的影响 | 第68-72页 |
4.3.2 退火温度对ZnS:Mn/GaN复合膜体系的结构和发光的影响 | 第72-75页 |
4.3.3 GaN衬底上ZnS:Mn纳米颗粒的制备及白光发射 | 第75-78页 |
4.4 ZnS:Mn/ZnO/GaN复合膜体系及其核壳纳米棒阵列的白光发射 | 第78-89页 |
4.4.1 引言 | 第78-79页 |
4.4.2 ZnS:Mn/ZnO/GaN复合膜体系的制备及白光发射 | 第79-83页 |
4.4.3 ZnS:Mn/ZnO/GaN核壳纳米棒阵列的制备及白光发射 | 第83-89页 |
4.5 ZnS:Mn/ZnO/GaN核壳纳米棒阵列器件的电致发光初探 | 第89-93页 |
4.6 本章小结 | 第93-95页 |
第5章 ZnS基ZAZ透明导电薄膜的制备及光电性能 | 第95-116页 |
5.1 引言 | 第95-96页 |
5.2 ZnS/Au/ZnS透明导电薄膜的制备及光电性能 | 第96-110页 |
5.2.1 ZnS/Au/ZnS透明导电薄膜的制备 | 第96页 |
5.2.2 Au层厚度对ZnS/Au/ZnS薄膜光电性能的影响 | 第96-100页 |
5.2.3 ZnS层厚度对ZnS/Au/ZnS薄膜光电性能的影响 | 第100-103页 |
5.2.4 衬底温度对ZnS/Au/ZnS薄膜光电性能的影响 | 第103-107页 |
5.2.5 退火温度对ZnS/Au/ZnS薄膜光电性能的影响 | 第107-110页 |
5.3 ZnS/Au/ZnO透明导电复合薄膜的制备及光电性能初探 | 第110-114页 |
5.3.1 引言 | 第110-111页 |
5.3.2 ZnS/Au/ZnO复合薄膜的制备 | 第111页 |
5.3.3 ZnS/Au/ZnO复合薄膜的光电性能初探 | 第111-114页 |
5.4 本章小结 | 第114-116页 |
第6章 全文总结及展望 | 第116-119页 |
参考文献 | 第119-141页 |
在读期间发表的学术论文及研究成果 | 第141-142页 |
致谢 | 第142页 |