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SiC表面碳团簇及其钝化的第一性原理研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-17页
    1.1 课题的研究背景及意义第9-13页
    1.2 SiC表面钝化的国内外研究现状第13-15页
    1.3 本文的研究思想和内容第15-17页
2 SiC表面钝化计算相关的基础理论和方法第17-29页
    2.1 Born-Oppenheimer近似第17-18页
    2.2 Hartree-Fock近似第18-19页
    2.3 密度泛函理论第19-24页
        2.3.1 Thomas Fermi-Dirac近似第20页
        2.3.2 Hohenberg-Kohn定理第20-21页
        2.3.3 Kohn-Sham方程:有效的单电子近似法第21-22页
        2.3.4 交换关联泛函第22-23页
        2.3.5 基组与赝势法第23-24页
    2.4 表面反应计算方法第24-27页
        2.4.1 微动弹性带方法第25-27页
        2.4.2 最小化方法第27页
    2.5 计算软件第27-28页
    2.6 本章小结第28-29页
3 SiC表面碳团簇的吸附第29-40页
    3.1 计算细节第29-31页
    3.2 SiC的表面吸附位第31-32页
    3.3 碳团簇在SiC表面的形成第32-36页
    3.4 碳团簇在SiC表面的吸附形态第36-38页
    3.5 碳原子的芯能级结合能转移第38-39页
    3.6 本章小结第39-40页
4 4H-SiC表面碳团簇的氢钝化研究第40-47页
    4.1 SiC表面碳团簇的氢吸附构型第40-41页
    4.2 SiC表面碳团簇的氢钝化分析第41-45页
    4.3 氢吸附体系的总态密度分析第45页
    4.4 本章小结第45-47页
5 SiC表面碳团簇的氮吸附研究第47-54页
    5.1 SiC表面碳团簇的氮吸附构型第47-49页
    5.2 SiC表面碳团簇的氮吸附性质第49-51页
    5.3 氮吸附体系的总态密度分析第51-52页
    5.4 本章小结第52-54页
结论第54-55页
参考文献第55-59页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第59-60页
致谢第60-61页

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