| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 论文的结构安排 | 第11-13页 |
| 第二章 MOCVD外延技术及晶体质量表征方法 | 第13-22页 |
| 2.1 金属有机化学气相沉积外延技术 | 第13-16页 |
| 2.2 晶体质量的表征方法 | 第16-22页 |
| 2.2.1 原子力显微镜技术(AFM) | 第16-17页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜技术(TEM) | 第17-20页 |
| 2.2.3 X射线双晶衍射技术(DCXRD) | 第20-22页 |
| 第三章 无定形Si作为缓冲层的GaAs/Si异变外延 | 第22-43页 |
| 3.1 引言 | 第22-23页 |
| 3.1.1 两步法的GaAs/Si外延生长 | 第22页 |
| 3.1.2 无定形Si作为缓冲层的生长机理 | 第22-23页 |
| 3.1.3 本章研究步骤 | 第23页 |
| 3.2 采用两步法的GaAs/Si异变外延生长 | 第23-26页 |
| 3.2.1 两步法实验方案 | 第23-25页 |
| 3.2.2 测试结果 | 第25-26页 |
| 3.3 SiH_4流量对无定形Si沉积的影响 | 第26-30页 |
| 3.3.1 实验方案 | 第26-27页 |
| 3.3.2 测试与分析 | 第27-29页 |
| 3.3.3 结论 | 第29-30页 |
| 3.4 温度对无定形Si沉积的影响 | 第30-34页 |
| 3.4.1 实验方案 | 第30页 |
| 3.4.2 测试与分析 | 第30-34页 |
| 3.4.3 结论 | 第34页 |
| 3.5 生长时间对无定形Si沉积的影响 | 第34-39页 |
| 3.5.1 实验方案 | 第35页 |
| 3.5.2 测试与分析 | 第35-39页 |
| 3.5.3 结论 | 第39页 |
| 3.6 无定形Si缓冲层结合退火的GaAs/Si异变外延 | 第39-41页 |
| 3.6.1 实验方案 | 第39-40页 |
| 3.6.2 测试与分析 | 第40-41页 |
| 3.6.3 结论 | 第41页 |
| 3.7 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 采用InGaAs/GaAs应变超晶格的GaAs/Si异变外延 | 第43-62页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.1.1 应变超晶格作为阻挡层的生长机理 | 第43页 |
| 4.1.2 本章研究步骤 | 第43-44页 |
| 4.2 三步法的GaAs/Si异变外延生长 | 第44-46页 |
| 4.2.1 三步法实验方案 | 第44-45页 |
| 4.2.2 测试结果 | 第45-46页 |
| 4.3 调节InGaAs/GaAs应变超晶格的厚度 | 第46-49页 |
| 4.3.1 实验方案 | 第46-47页 |
| 4.3.2 测试与分析 | 第47-49页 |
| 4.3.3 结论 | 第49页 |
| 4.4 调节InGaAs/GaAs应变超晶格的周期数 | 第49-52页 |
| 4.4.1 实验方案 | 第49-50页 |
| 4.4.2 测试与分析 | 第50-52页 |
| 4.4.3 结论 | 第52页 |
| 4.5 调节InGaAs/GaAs应变超晶格的插入位置 | 第52-55页 |
| 4.5.1 实验方案 | 第52-53页 |
| 4.5.2 测试与分析 | 第53-55页 |
| 4.5.3 结论 | 第55页 |
| 4.6 调节InGaAs/GaAs应变超晶格中In的组分 | 第55-58页 |
| 4.6.1 实验方案 | 第55-56页 |
| 4.6.2 测试与分析 | 第56-58页 |
| 4.6.3 结论 | 第58页 |
| 4.7 InGaAs/GaAs应变超晶格结合退火的GaAs/Si异变外延 | 第58-61页 |
| 4.7.1 实验方案 | 第58-59页 |
| 4.7.2 测试与分析 | 第59-61页 |
| 4.7.3 结论 | 第61页 |
| 4.8 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 总结 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第69页 |
