| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第9页 |
| 1.2 MOS_2的概述 | 第9-13页 |
| 1.2.1 MoS_2的晶体结构 | 第9-11页 |
| 1.2.2 单层MoS_2的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.2.3 单层MoS_2的改性方法 | 第13页 |
| 1.3 光催化反应机理 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的研究目的和内容 | 第14-16页 |
| 1.4.1 研究目的 | 第14页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第14-16页 |
| 2 基本理论 | 第16-25页 |
| 2.1 第一性原理简介 | 第16-19页 |
| 2.1.1 基本概念 | 第16页 |
| 2.1.2 基本思路 | 第16-17页 |
| 2.1.3 固体能带理论 | 第17页 |
| 2.1.4 近似处理方法 | 第17-19页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第19-23页 |
| 2.2.1 Hobenberg-Kohn（HK)定理 | 第19-20页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第20页 |
| 2.2.3 交换关联能量泛函 | 第20-22页 |
| 2.2.4 平面波和赝势 | 第22-23页 |
| 2.3 CASTEP软件包简介 | 第23-25页 |
| 2.3.1 CASTEP功能简介 | 第23页 |
| 2.3.2 结构优化及k点取值 | 第23-24页 |
| 2.3.3 态密度 | 第24-25页 |
| 3 空位对单层MoS_2性质的影响 | 第25-41页 |
| 3.1 确定截断能和K点 | 第25-28页 |
| 3.1.1 截断能的确定 | 第26-27页 |
| 3.1.2 k点的确定 | 第27-28页 |
| 3.2 计算模型与方法 | 第28-32页 |
| 3.2.1 计算模型 | 第28-30页 |
| 3.2.2 计算方法 | 第30-32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-39页 |
| 3.3.1 形成能计算 | 第32-34页 |
| 3.3.2 电子结构分析 | 第34-36页 |
| 3.3.3 光催化性质 | 第36-39页 |
| 3.4 小结 | 第39-41页 |
| 4 C掺杂对单层MoS_2性质的影响 | 第41-49页 |
| 4.1 计算模型与方法 | 第41-42页 |
| 4.1.1 计算模型 | 第41-42页 |
| 4.1.2 计算方法 | 第42页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第42-48页 |
| 4.2.1 形成能计算 | 第42-43页 |
| 4.2.2 电子结构分析 | 第43-45页 |
| 4.2.3 光催化性质 | 第45-48页 |
| 4.3 小结 | 第48-49页 |
| 5 Cr与W掺杂对单层MoS_2性质的影响 | 第49-56页 |
| 5.1 计算模型与方法 | 第49-51页 |
| 5.1.1 计算模型 | 第49-50页 |
| 5.1.2 计算方法 | 第50-51页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第51-55页 |
| 5.2.1 形成能计算 | 第51页 |
| 5.2.2 电子结构分析 | 第51-52页 |
| 5.2.3 光催化性质 | 第52-55页 |
| 5.3 小结 | 第55-56页 |
| 6 总结与展望 | 第56-58页 |
| 6.1 总结 | 第56页 |
| 6.2 展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 附录 | 第65页 |
| A. 攻读硕士学位期间拟发表的论文 | 第65页 |
| B. 攻读硕士学位期间申请的发明专利 | 第65页 |