| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 低维纳米材料 | 第10页 |
| 1.2 二维类石墨烯材料 | 第10-11页 |
| 1.3 本文研究材料介绍 | 第11-12页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 理论基础 | 第14-28页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第14-23页 |
| 2.1.1 绝热近似和哈特里-福克(Hartree-Fock)近似 | 第14-17页 |
| 2.1.2 Hohenberg-kohn定理 | 第17页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第17-18页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第18-20页 |
| 2.1.5 赝势方法 | 第20-21页 |
| 2.1.6 自洽计算 | 第21-22页 |
| 2.1.7 结构优化 | 第22页 |
| 2.1.8 DFT+U方法 | 第22-23页 |
| 2.2 VASP程序包介绍 | 第23-24页 |
| 2.3 掺杂的形成能和跃迁能级 | 第24-28页 |
| 2.3.1 半导体中的掺杂 | 第24-25页 |
| 2.3.2 元素的化学势 | 第25-26页 |
| 2.3.3 缺陷的形成能和跃迁能级 | 第26-28页 |
| 第三章 Mg掺杂二维AlN纳米片的电子结构研究 | 第28-36页 |
| 3.1 研究背景 | 第28页 |
| 3.2 理论模型和方法 | 第28-30页 |
| 3.3 结果讨论 | 第30-35页 |
| 3.3.1 AlN体材料和二维纳米片的晶格常数和电子结构 | 第30-31页 |
| 3.3.2 Mg掺杂二维AlN纳米片的电子结构 | 第31-33页 |
| 3.3.3 Mg掺杂二维AlN纳米片的形成能和跃迁能级 | 第33-35页 |
| 3.4 结论 | 第35-36页 |
| 第四章 Mg掺杂二维GaX(X=S和Se)纳米片的电子结构研究 | 第36-46页 |
| 4.1 研究背景 | 第36-37页 |
| 4.2 理论模型和方法 | 第37-38页 |
| 4.3 结果讨论 | 第38-44页 |
| 4.3.1 GaX体材料和二维纳米片的晶格常数和电子结构 | 第38-40页 |
| 4.3.2 Mg掺杂二维GaX纳米片的电子结构 | 第40-42页 |
| 4.3.3 Mg掺杂二维GaX纳米片的形成能和跃迁能级 | 第42-44页 |
| 4.4 结论 | 第44-46页 |
| 第五章V和VII族元素掺杂SnS2纳米片的电子结构研究 | 第46-56页 |
| 5.1 研究背景 | 第46-47页 |
| 5.2 计算方法 | 第47-48页 |
| 5.3 数值结果和讨论 | 第48-55页 |
| 5.3.1 SnS2体材料和纳米片的晶格常数和电子结构 | 第48-50页 |
| 5.3.2 V和VII族元素掺杂的二维SnS2纳米片的电子结构 | 第50-53页 |
| 5.3.3 V和VII族元素掺杂二维SnS2纳米片的形成能和跃迁能级 | 第53-55页 |
| 5.4 结论 | 第55-56页 |
| 第六章 总结及展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第66-67页 |
