| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 化学气相沉积介绍及其种类 | 第8-10页 |
| 1.2.1 化学气相沉积介绍 | 第8页 |
| 1.2.2 化学气相沉积的分类 | 第8-10页 |
| 1.3 论文的主要内容与章节安排 | 第10-11页 |
| 1.3.1 论文的主要内容 | 第10页 |
| 1.3.2 论文的章节安排 | 第10-11页 |
| 2 PECVD工艺原理和淀积设备 | 第11-21页 |
| 2.1 PECVD工艺原理 | 第11-13页 |
| 2.2 PECVD薄膜淀积设备 | 第13-16页 |
| 2.3 本论文所用到的设备、原材料和薄膜的表征 | 第16-20页 |
| 2.3.1 本论文所用到的设备和原材料 | 第16-17页 |
| 2.3.2 薄膜的表征 | 第17-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 3 对MIM电容器工艺中介质层进行优化改进的研究 | 第21-30页 |
| 3.1 MIM电容器工艺原理以及工艺现实的挑战 | 第21-23页 |
| 3.1.1 MIM电容器工艺原理 | 第21-22页 |
| 3.1.2 MIM电容器工艺的现实挑战 | 第22-23页 |
| 3.2 从介质层厚度方向进行MIM电容器优化实验 | 第23-25页 |
| 3.3 从介质层介电常数方向进行MIM电容器优化实验 | 第25-28页 |
| 3.3.1 SION薄膜作为介质层的MIM电容器电学性能分析 | 第26-27页 |
| 3.3.2 SIN薄膜作为介质层的MIM电容器电学性能分析 | 第27-28页 |
| 3.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 4 用氮化硅薄膜作介质层的MIM电容器的实际应用 | 第30-43页 |
| 4.1 氮化硅介质膜MIM电容器的稳定性研究 | 第30-36页 |
| 4.2 氮化硅介质膜MIM电容器的可靠性研究 | 第36-42页 |
| 4.2.1 RF对MIM电容器产品良率的影响 | 第37-39页 |
| 4.2.2 温度对MIM电容器产品良率的影响 | 第39-40页 |
| 4.2.3 气体流量对MIM电容器产品良率的影响 | 第40-41页 |
| 4.2.4 压力对MIM电容器产品良率的影响 | 第41-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 5 结论 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
