| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 前言 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-10页 |
| 1.2 SiGe BiCMOS的技术优势 | 第10-11页 |
| 1.3 SiGe HBT发展状况 | 第11-12页 |
| 1.4 论文内容的安排 | 第12-13页 |
| 1.5 本论文的工作 | 第13-14页 |
| 第二章 SiGe材料的特征以及SiGe HBT基本原理 | 第14-22页 |
| 2.1 SiGe材料的特征 | 第14-15页 |
| 2.2 SiGe材料制备方法的简单介绍 | 第15-16页 |
| 2.3 SiGe HBT基本原理 | 第16-18页 |
| 2.4 SiGe HBT特有效应 | 第18-20页 |
| 2.4.1 集电极电流以及电流增益效应 | 第19-20页 |
| 2.4.2 厄尔利效应 | 第20页 |
| 2.4.3 基区渡越时间减缩效应 | 第20页 |
| 2.4.4 E-B结电容充电时间效应 | 第20页 |
| 2.5 SiGe HBT的优势 | 第20-21页 |
| 2.6 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 0.35微米SiGe BiCMOS的工艺流程设计 | 第22-41页 |
| 3.1 0.35微米SiGe BiCMOS工艺流程设计的简单介绍 | 第22-31页 |
| 3.2 0.35微米SiGe BiCMOS关键工艺技术 | 第31-39页 |
| 3.2.1 深沟槽隔离干法刻蚀技术 | 第31-33页 |
| 3.2.2 SiGe HBT发射极形成技术 | 第33-36页 |
| 3.2.3 0.35微米SiGe BiCMOS工艺中的金属铝线剥胶技术 | 第36-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 优化SiGe HBT晶体管性能的工艺集成设计 | 第41-56页 |
| 4.1 针对SiGe HBT基本结构的优化设计 | 第41-44页 |
| 4.1.1 SiGe HBT基区的纵向优化设计 | 第41-43页 |
| 4.1.2 SiGe HBT发射区的纵向优化设计 | 第43页 |
| 4.1.3 SiGe HBT集电区的纵向优化设计 | 第43-44页 |
| 4.1.4 SiGe HBT横向结构尺寸优化设计 | 第44页 |
| 4.2 使SiGe HBT器件线性增加的优化方法 | 第44-49页 |
| 4.2.1 SiGe HBT器件线性定义 | 第44页 |
| 4.2.2 提高SiGe HBT器件线性度基本构想 | 第44-45页 |
| 4.2.3 SiGe HBT器件线型提高的设计优化方法 | 第45-49页 |
| 4.3 SiGe合金层生长前降低氧化膜微残留缺陷的综合优化 | 第49-55页 |
| 4.3.1 SiGe生长前氧化膜微缺陷残留的主要因素 | 第52-53页 |
| 4.3.2 SiGe合金层生长前工艺流程的调整方法 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 0.35μm SiGe BiCMOS工艺元件 | 第56-67页 |
| 5.1 SiGe HBT | 第56-60页 |
| 5.2 CMOS管 | 第60-61页 |
| 5.3 无源器件 | 第61-66页 |
| 5.3.1 电阻 | 第61-63页 |
| 5.3.2 电感 | 第63-64页 |
| 5.3.3 电容 | 第64-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 结论及展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 后记 | 第72-73页 |
