基于第一性原理的电荷俘获存储器的特性研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 CTM研究 | 第11-17页 |
| 1.2.1 CTM的工作原理 | 第12-16页 |
| 1.2.2 CTM俘获层材料 | 第16-17页 |
| 1.2.3 研究方法及软件介绍 | 第17页 |
| 1.3 本章小结 | 第17-18页 |
| 第二章 电荷俘获存储器的编程速度研究 | 第18-28页 |
| 2.1 CTM结构与模拟方法 | 第19-21页 |
| 2.1.1 CTM结构模型 | 第19-20页 |
| 2.1.2 俘获层模拟 | 第20-21页 |
| 2.2 编程速度研究与分析 | 第21-27页 |
| 2.2.1 俘获能 | 第21-22页 |
| 2.2.2 能带偏移 | 第22-24页 |
| 2.2.3 俘获密度 | 第24-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 电荷俘获存储器的过擦特性研究 | 第28-45页 |
| 3.1 结构模型与计算模拟方法 | 第29-30页 |
| 3.2 过擦本质研究 | 第30-38页 |
| 3.2.1 体系能量 | 第32-34页 |
| 3.2.2 电荷结构变化 | 第34-36页 |
| 3.2.3 吸附能 | 第36-37页 |
| 3.2.4 态密度 | 第37-38页 |
| 3.3 Si_3N_4的过擦改善 | 第38-43页 |
| 3.3.1 计算结构模型与方法 | 第38-40页 |
| 3.3.2 巴德电荷 | 第40-41页 |
| 3.3.3 相互作用能 | 第41-42页 |
| 3.3.4 分波态密度 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 总结与展望 | 第45-47页 |
| 4.1 总结 | 第45页 |
| 4.2 展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 附图 | 第51-53页 |
| 附表 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第55页 |
