65nm NOR型闪存芯片RTS噪声研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 引言 | 第8-12页 |
| 1.2 闪存存储器简介与基本分类 | 第12-16页 |
| 1.3 闪存存储器的技术发展与展望 | 第16-18页 |
| 1.4 本论文主要内容和论文结构 | 第18-20页 |
| 2 闪存工作原理与性能 | 第20-35页 |
| 2.1 闪存存储器的结构和原理 | 第20-24页 |
| 2.1.1 闪存单元的存储结构 | 第20-22页 |
| 2.1.2 浮栅型晶体管的基本工作原理 | 第22-23页 |
| 2.1.3 浮栅存储器的应用 | 第23-24页 |
| 2.2 闪存单元的基本工作模式 | 第24-32页 |
| 2.2.1 闪存单元的编程 | 第24-27页 |
| 2.2.2 闪存单元的擦除 | 第27-31页 |
| 2.2.3 闪存单元的软编程 | 第31-32页 |
| 2.2.4 闪存单元的读操作 | 第32页 |
| 2.3 闪存芯片可靠性的关键指标 | 第32-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 3 65nm NOR型闪存随机电报噪声研究 | 第35-53页 |
| 3.1 闪存低频噪声的研究意义 | 第35-36页 |
| 3.2 半导体器件中的低频噪声 | 第36-41页 |
| 3.2.1 低频噪声的物理起因 | 第36-37页 |
| 3.2.2 低频噪声--1/f噪声 | 第37-40页 |
| 3.2.3 低频噪声--RTS噪声 | 第40-41页 |
| 3.3 低频噪声的测量和参数获取 | 第41-45页 |
| 3.4 基于RTS噪声的缺陷分布计算 | 第45-48页 |
| 3.5 阈值电压对RTS噪声的影响 | 第48-51页 |
| 3.5.1 俘获/发射时间对阈值电压的依存性 | 第48-50页 |
| 3.5.2 基于俘获/发射截面的物理模型 | 第50-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 4 结论 | 第53-54页 |
| 4.1 论文的主要结论与创新点 | 第53页 |
| 4.2 对未来研究工作的展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
