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低阻尼Co2MnSi薄膜的生长、结构、磁性和酞菁铜中多级阻变、记忆效应研究

摘要第10-13页
Abstract第13-16页
第1章 绪论第17-39页
    第1节 非易失性随机存储器(NVRAM)第17-21页
        1.1.1. 阻变随机存储器(RRAM)第18-20页
        1.1.2. 磁随机存储器(MRAM)第20-21页
    第2节 自旋转移转矩(STT)第21-25页
    第3节 铁磁驰豫第25-32页
        1.3.1. 一致进动模式第25-27页
        1.3.2. 铁磁共振第27-29页
        1.3.3. 微波损失和铁磁共振线宽第29-31页
        1.3.4. 共振线宽分析:Gilbert阻尼项和双磁振子散射项第31-32页
    第4节 本论文的研究内容和方法第32-34页
    参考文献第34-39页
第2章 样品的制备方法与测量手段第39-51页
    第1节 样品的制备方法第39-44页
        2.1.1. 磁控溅射第39-42页
        2.1.2. 电阻热蒸发第42-44页
    第2节 样品的测量手段第44-50页
        2.2.1. 透射电子显微镜(TEM)第44-45页
        2.2.2. 铁磁共振(FMR)第45-46页
        2.2.3. 超导量子干涉仪(SQUID)第46-47页
        2.2.4. X射线衍射仪(XRD)第47-48页
        2.2.5. 交变梯度场磁强计(AGM)第48-50页
    参考文献第50-51页
第3章 Heusler合金Co_2MnSi的生长和结构表征第51-67页
    第1节 Heusler合金第51-55页
        3.1.1. Heusler合金的晶体结构第51-52页
        3.1.2. Heusler合金的磁性第52-53页
        3.1.3. Heusler合金的应用第53-55页
    第2节 Co_2MnSi的生长和结构表征第55-63页
    第3节 小结第63页
    参考文献第63-67页
第4章 Co_2MnSi的磁性:磁各向异性和Gilbert阻尼因子第67-91页
    第1节 磁各向异性第67-75页
        4.1.1. 磁各向异性的起源第68-69页
        4.1.2. 磁各向异性模型第69-71页
        4.1.3. Co_2MnSi的磁各向异性:AGM第71-75页
    第2节 Co_2MnSi的阻尼因子第75-88页
        4.2.1. Gilbert阻尼第76页
        4.2.2. Mosaicity第76-77页
        4.2.3. 双磁振子散射第77-78页
        4.2.4. 面内测量第78-83页
        4.2.5. 面外测量第83-88页
    第3节 小结第88-89页
    参考文献第89-91页
第5章 Co_2MnSi的磁性:双磁振子散射第91-105页
    第1节 双磁振子散射的量子力学图像第91-100页
        5.1.1. 铁磁驰豫第91-92页
        5.1.2. 自旋波理论第92-97页
        5.1.3. 双磁振子散射第97-100页
    第2节 Co_2MnSi薄膜中共振线宽的非单调行为第100-103页
    第3节 小结第103页
    参考文献第103-105页
第6章 酞菁铜中的电致阻变和记忆效应第105-121页
    第1节 有机物中的电致阻变现象第105-109页
        6.1.1. 有机阻变器件的材料、结构第105-106页
        6.1.2. 阻变的机制第106-108页
        6.1.3. 器件性能参数第108-109页
    第2节 酞菁铜中的多级阻变和记忆效应第109-117页
        6.2.1. 样品制备和测试第109-110页
        6.2.2. 测量结果和讨论第110-117页
    第3节 小结第117页
    参考文献第117-121页
第7章 总结和展望第121-125页
    第1节 本论文的研究内容和结论第121-122页
    第2节 本论文的特色和创新第122-123页
    第3节 下一步工作展望第123-125页
致谢第125-127页
已发表和即将发表的论文第127-128页
参加的学术会议第128-129页
附件第129页

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