摘要 | 第10-13页 |
Abstract | 第13-16页 |
第1章 绪论 | 第17-39页 |
第1节 非易失性随机存储器(NVRAM) | 第17-21页 |
1.1.1. 阻变随机存储器(RRAM) | 第18-20页 |
1.1.2. 磁随机存储器(MRAM) | 第20-21页 |
第2节 自旋转移转矩(STT) | 第21-25页 |
第3节 铁磁驰豫 | 第25-32页 |
1.3.1. 一致进动模式 | 第25-27页 |
1.3.2. 铁磁共振 | 第27-29页 |
1.3.3. 微波损失和铁磁共振线宽 | 第29-31页 |
1.3.4. 共振线宽分析:Gilbert阻尼项和双磁振子散射项 | 第31-32页 |
第4节 本论文的研究内容和方法 | 第32-34页 |
参考文献 | 第34-39页 |
第2章 样品的制备方法与测量手段 | 第39-51页 |
第1节 样品的制备方法 | 第39-44页 |
2.1.1. 磁控溅射 | 第39-42页 |
2.1.2. 电阻热蒸发 | 第42-44页 |
第2节 样品的测量手段 | 第44-50页 |
2.2.1. 透射电子显微镜(TEM) | 第44-45页 |
2.2.2. 铁磁共振(FMR) | 第45-46页 |
2.2.3. 超导量子干涉仪(SQUID) | 第46-47页 |
2.2.4. X射线衍射仪(XRD) | 第47-48页 |
2.2.5. 交变梯度场磁强计(AGM) | 第48-50页 |
参考文献 | 第50-51页 |
第3章 Heusler合金Co_2MnSi的生长和结构表征 | 第51-67页 |
第1节 Heusler合金 | 第51-55页 |
3.1.1. Heusler合金的晶体结构 | 第51-52页 |
3.1.2. Heusler合金的磁性 | 第52-53页 |
3.1.3. Heusler合金的应用 | 第53-55页 |
第2节 Co_2MnSi的生长和结构表征 | 第55-63页 |
第3节 小结 | 第63页 |
参考文献 | 第63-67页 |
第4章 Co_2MnSi的磁性:磁各向异性和Gilbert阻尼因子 | 第67-91页 |
第1节 磁各向异性 | 第67-75页 |
4.1.1. 磁各向异性的起源 | 第68-69页 |
4.1.2. 磁各向异性模型 | 第69-71页 |
4.1.3. Co_2MnSi的磁各向异性:AGM | 第71-75页 |
第2节 Co_2MnSi的阻尼因子 | 第75-88页 |
4.2.1. Gilbert阻尼 | 第76页 |
4.2.2. Mosaicity | 第76-77页 |
4.2.3. 双磁振子散射 | 第77-78页 |
4.2.4. 面内测量 | 第78-83页 |
4.2.5. 面外测量 | 第83-88页 |
第3节 小结 | 第88-89页 |
参考文献 | 第89-91页 |
第5章 Co_2MnSi的磁性:双磁振子散射 | 第91-105页 |
第1节 双磁振子散射的量子力学图像 | 第91-100页 |
5.1.1. 铁磁驰豫 | 第91-92页 |
5.1.2. 自旋波理论 | 第92-97页 |
5.1.3. 双磁振子散射 | 第97-100页 |
第2节 Co_2MnSi薄膜中共振线宽的非单调行为 | 第100-103页 |
第3节 小结 | 第103页 |
参考文献 | 第103-105页 |
第6章 酞菁铜中的电致阻变和记忆效应 | 第105-121页 |
第1节 有机物中的电致阻变现象 | 第105-109页 |
6.1.1. 有机阻变器件的材料、结构 | 第105-106页 |
6.1.2. 阻变的机制 | 第106-108页 |
6.1.3. 器件性能参数 | 第108-109页 |
第2节 酞菁铜中的多级阻变和记忆效应 | 第109-117页 |
6.2.1. 样品制备和测试 | 第109-110页 |
6.2.2. 测量结果和讨论 | 第110-117页 |
第3节 小结 | 第117页 |
参考文献 | 第117-121页 |
第7章 总结和展望 | 第121-125页 |
第1节 本论文的研究内容和结论 | 第121-122页 |
第2节 本论文的特色和创新 | 第122-123页 |
第3节 下一步工作展望 | 第123-125页 |
致谢 | 第125-127页 |
已发表和即将发表的论文 | 第127-128页 |
参加的学术会议 | 第128-129页 |
附件 | 第129页 |