| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 太赫兹波研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 硅纳米线简介 | 第11-14页 |
| 1.3 THz波调控技术 | 第14-17页 |
| 1.3.1 THz波调控技术简介 | 第14-15页 |
| 1.3.2 THz波调控技术发展动态 | 第15-17页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第17-19页 |
| 第二章 硅纳米线制备研究 | 第19-27页 |
| 2.1 SiNW制备简介 | 第19页 |
| 2.2 MACE简介 | 第19-22页 |
| 2.2.1 MACE刻蚀机理 | 第20-21页 |
| 2.2.2 MACE操作流程 | 第21-22页 |
| 2.3 SiNW形貌表征 | 第22-25页 |
| 2.4 SiNW对可见光的减反作用 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 基于SiNW的光控THz波调控技术 | 第27-42页 |
| 3.1 光控半导体硅的调控技术研究 | 第27-30页 |
| 3.1.1 光控半导体硅的调控机理 | 第27-28页 |
| 3.1.2 基于THz时域光谱系统的激光调制平台简介 | 第28-30页 |
| 3.2 SiNW对THz波的响应 | 第30-33页 |
| 3.2.1 不同长度SiNW的时域谱 | 第30-32页 |
| 3.2.2 SiNW对THz波增透作用的理论研究 | 第32-33页 |
| 3.3 915nm激光对SiNW太赫兹波的调制研究 | 第33-37页 |
| 3.3.1 915nm激光作用下的时域谱 | 第33-34页 |
| 3.3.2 915nm激光作用下的频域谱 | 第34-36页 |
| 3.3.3 915nm激光作用下的透射率 | 第36-37页 |
| 3.4 808nm激光对SiNW太赫兹波的调制研究 | 第37-41页 |
| 3.4.1 808nm激光作用下的时域谱 | 第37-38页 |
| 3.4.2 808nm激光作用下的频域谱 | 第38-40页 |
| 3.4.3 808nm激光作用下的透射率 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基于SiNW的连续THz波谱 | 第42-51页 |
| 4.1 连续THz波谱测试平台 | 第42-43页 |
| 4.2 SiNW太赫兹连续波谱的测试与分析 | 第43-47页 |
| 4.2.1 915nm激光对SiNW连续THz波的调制 | 第43-45页 |
| 4.2.2 808nm激光对SiNW连续THz波的调制 | 第45-47页 |
| 4.3 光生载流子对调制深度的影响 | 第47-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 SiNW对THz波减反作用的理论模型 | 第51-59页 |
| 5.1 单层膜系的建立 | 第51-54页 |
| 5.1.1 可见光波段单层膜系的建立 | 第51-53页 |
| 5.1.2 THz波段单层膜系的建立 | 第53-54页 |
| 5.2 九层膜系的建立 | 第54-58页 |
| 5.2.1 多层膜系的传输矩阵理论 | 第54-56页 |
| 5.2.2 THz波段九层膜系的建立 | 第56-58页 |
| 5.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第59-61页 |
| 6.1 全文总结 | 第59-60页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第66-67页 |
