摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-19页 |
1.1 课题来源 | 第10页 |
1.2 课题的研究目的及意义 | 第10-11页 |
1.3 国内外研究现状 | 第11-17页 |
1.3.1 连续性介电泳颗粒分离研究现状 | 第11-14页 |
1.3.2 诱导电荷电渗研究现状 | 第14-16页 |
1.3.3 国内外文献综述的简析 | 第16-17页 |
1.4 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
第2章 ICEO聚集与DEP偏移的颗粒分离机理分析 | 第19-29页 |
2.1 诱导双电层的形成与物理表征 | 第19-20页 |
2.2 电场引发导体表面的ICEO滑移 | 第20-23页 |
2.3 电场诱导介电颗粒的极化效应 | 第23-24页 |
2.4 非均匀电场作用引起微尺度颗粒的DEP偏移现象 | 第24-26页 |
2.5 介电颗粒在重力场和流场中受到的其它作用力 | 第26页 |
2.5.1 颗粒受到的浮力 | 第26页 |
2.5.2 颗粒受到的粘滞阻力 | 第26页 |
2.6 微尺度颗粒的运动方程和轨迹方程 | 第26-27页 |
2.7 基于ICEO聚集与DEP偏移分离芯片的工作原理 | 第27-28页 |
2.8 本章小结 | 第28-29页 |
第3章 基于ICEO聚集与DEP偏移分离芯片关键位置的设计与仿真 | 第29-48页 |
3.1 引言 | 第29页 |
3.2 微流控芯片的关键位置的结构设计 | 第29-31页 |
3.3 基于ICEO颗粒聚集结构完善和工作参数确定 | 第31-37页 |
3.3.1 聚集区域仿真模型的建立与网格划分 | 第31-32页 |
3.3.2 颗粒收集区域仿真模型边界条件的添加 | 第32-33页 |
3.3.3 聚集区域通道高度对聚集效果的影响分析 | 第33-34页 |
3.3.4 基于ICEO颗粒聚集工作参数的确定 | 第34-37页 |
3.4 微流控芯片过渡区域结构对颗粒流状态影响的仿真 | 第37-40页 |
3.4.1 过渡区域仿真模型建立与网格划分 | 第37页 |
3.4.2 过渡区域仿真模型边界条件的添加 | 第37-38页 |
3.4.3 过渡区域结构对粒子流状态的影响规律分析 | 第38-40页 |
3.5 基于DEP颗粒分离的结构完善与工作条件的确定 | 第40-47页 |
3.5.1 分离区域仿真模型的建立与网格划分 | 第40页 |
3.5.2 分离区域仿真模型边界条件的添加 | 第40-41页 |
3.5.3 分离区域的电场与流场的分布情况分析 | 第41-42页 |
3.5.4 分离区域的结构对颗粒分离效果的影响分析 | 第42-43页 |
3.5.5 粒子流入分离区域的位置对颗粒分离效果的影响分析 | 第43-47页 |
3.6 本章小结 | 第47-48页 |
第4章 微流控芯片设计与加工及实验系统搭建 | 第48-58页 |
4.1 引言 | 第48页 |
4.2 微流控芯片的整体结构设计 | 第48-49页 |
4.3 微流控芯片的加工 | 第49-55页 |
4.3.1 微流控芯片电极的加工 | 第49-52页 |
4.3.2 微流控芯片通道模具加工 | 第52-53页 |
4.3.3 微流控芯片PDMS通道的加工 | 第53-54页 |
4.3.4 通道与电极的键合 | 第54-55页 |
4.4 微流控芯片的电学性能测试 | 第55-56页 |
4.5 微尺度颗粒分离的实验平台的设计与搭建 | 第56-57页 |
4.6 本章小结 | 第57-58页 |
第5章 颗粒的ICEO聚集与DEP偏移及分离的实验研究 | 第58-73页 |
5.1 引言 | 第58页 |
5.2 实验准备工作 | 第58-61页 |
5.2.1 实验需要的设备和材料 | 第58页 |
5.2.2 实验样本的配制 | 第58-60页 |
5.2.3 实验设备的组装与设置 | 第60-61页 |
5.3 基于ICEO颗粒聚集特性的实验研究 | 第61-64页 |
5.4 基于DEP颗粒偏移特性的实验研究 | 第64-67页 |
5.5 综合实验研究与入口流速的影响分析 | 第67-72页 |
5.5.1 颗粒聚集及分离实验研究 | 第67-69页 |
5.5.2 入口流速对微流控芯片分离效果的影响 | 第69-71页 |
5.5.3 微流控芯片分离效果的评估 | 第71-72页 |
5.6 本章小结 | 第72-73页 |
结论 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-79页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第79-81页 |
致谢 | 第81页 |