铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究
| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 立题背景 | 第7-9页 |
| 1.2 多晶硅制备工艺 | 第9-14页 |
| 1.2.1 西门子法 | 第9-10页 |
| 1.2.2 硅烷热分解法 | 第10-11页 |
| 1.2.3 物理冶金法 | 第11-14页 |
| 1.3 课题研究目的和意义 | 第14-15页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第14-15页 |
| 1.3.2 研究意义 | 第15页 |
| 1.4 课题研究内容和路线 | 第15-17页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第15-16页 |
| 1.4.2 研究路线 | 第16-17页 |
| 2 实验原理及分析方法 | 第17-26页 |
| 2.1 实验引言 | 第17页 |
| 2.2 实验原理 | 第17-20页 |
| 2.2.1 定向凝固理论基础 | 第18页 |
| 2.2.2 定向凝固影响因素 | 第18-20页 |
| 2.3 定向凝固设备 | 第20-23页 |
| 2.4 铸锭切割取样 | 第23页 |
| 2.5 分析方法仪器 | 第23-26页 |
| 3 掺杂Al和B补偿调控铸锭电学性能的研究 | 第26-45页 |
| 3.1 实验过程 | 第26-27页 |
| 3.1.1 配料放置 | 第26页 |
| 3.1.2 工艺曲线 | 第26-27页 |
| 3.2 掺杂剂Al-8B母合金研究 | 第27-29页 |
| 3.2.1 掺杂剂Al-8B微观组织 | 第27-28页 |
| 3.2.2 掺杂剂Al-8B熔解反应 | 第28-29页 |
| 3.2.3 掺杂剂Al-8B配料计算 | 第29页 |
| 3.3 铸锭晶体形貌和杂质含量 | 第29-35页 |
| 3.3.1 晶体形貌 | 第29-33页 |
| 3.3.2 杂质元素含量分布 | 第33-35页 |
| 3.4 掺杂Al和B补偿调控铸锭电学性能 | 第35-44页 |
| 3.4.1 掺杂Al和B补偿调控导电类型 | 第36-37页 |
| 3.4.2 掺杂Al和B补偿调控电阻率 | 第37-41页 |
| 3.4.3 掺杂Al和B补偿调控少子寿命 | 第41-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 掺杂P和As补偿调控铸锭电学性能的研究 | 第45-59页 |
| 4.1 实验过程 | 第45页 |
| 4.2 掺杂剂Si-As-P研究 | 第45-46页 |
| 4.3 杂质元素含量分布 | 第46-47页 |
| 4.4 掺杂P和As补偿调控铸锭电学性能 | 第47-56页 |
| 4.4.1 掺杂P和As补偿调控导电类型 | 第47-48页 |
| 4.4.2 掺杂P和As补偿调控电阻率 | 第48-51页 |
| 4.4.3 电阻率与原子密度模拟推导 | 第51-53页 |
| 4.4.4 掺杂P和As补偿调控少子寿命 | 第53-56页 |
| 4.5 铸锭少子寿命分析 | 第56-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 5 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文专利情况 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
