| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 新兴非挥发性存储器 | 第11-14页 |
| 1.2.1 铁电存储器(FRAM) | 第11-12页 |
| 1.2.2 磁存储器(MRAM) | 第12-13页 |
| 1.2.3 相变存储器(PRAM) | 第13页 |
| 1.2.4 阻变存储器(RRAM) | 第13-14页 |
| 1.3 研究意义及研究内容 | 第14-17页 |
| 1.3.1 研究意义 | 第14-15页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 阻变存储器概述 | 第17-30页 |
| 2.1 阻变存储器的工作原理 | 第17-18页 |
| 2.2 阻变存储器的材料体系 | 第18-21页 |
| 2.2.1 有机材料 | 第18页 |
| 2.2.2 固态电解液材料 | 第18-19页 |
| 2.2.3 多元金属氧化物 | 第19-20页 |
| 2.2.4 二元金属氧化物 | 第20-21页 |
| 2.3 阻变存储器的电阻转变机制 | 第21-25页 |
| 2.3.1 界面势垒调节模型 | 第21页 |
| 2.3.2 缺陷能级的电荷俘获与释放模型 | 第21-23页 |
| 2.3.3 导电细丝模型 | 第23-25页 |
| 2.4 阻变存储器的集成 | 第25-28页 |
| 2.4.1 1T1R | 第26页 |
| 2.4.2 1D1R | 第26-27页 |
| 2.4.3 1S1R | 第27-28页 |
| 2.5 阻变存储器的基本参数 | 第28-29页 |
| 2.5.1 存储窗口(Memory Window) | 第28页 |
| 2.5.2 操作电压(Operation Voltage) | 第28页 |
| 2.5.3 操作速度(Operation Speed) | 第28-29页 |
| 2.5.4 数据保持特性(Retention) | 第29页 |
| 2.5.5 耐受性(Endurance) | 第29页 |
| 2.5.6 可缩小性(Scalability) | 第29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 RRAM器件导电通路形成过程的研究 | 第30-43页 |
| 3.1 VCM器件导电通路形成过程的研究 | 第30-35页 |
| 3.1.1 物理模型介绍 | 第30-31页 |
| 3.1.2 结果与讨论：氧空位迁移速率对forming时间的影响 | 第31-35页 |
| 3.2 ECM器件导电细丝生长过程的蒙特卡洛模拟 | 第35-41页 |
| 3.2.1 物理模型和模拟方法 | 第35-38页 |
| 3.2.2 结果与讨论：直流扫描模式下CF生长过程的模拟 | 第38-39页 |
| 3.2.3 结果与讨论：脉冲模式下CF生长过程的模拟 | 第39-40页 |
| 3.2.4 结果与讨论：金属离子迁移速率对CF生长过程的影响 | 第40-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 阻变存储器电阻转变过程中的焦耳热效应 | 第43-63页 |
| 4.1 ECM器件动态焦耳热效应的研究 | 第43-49页 |
| 4.1.1 物理模型介绍 | 第43-45页 |
| 4.1.2 结果与讨论：导电细丝形貌对瞬态温度和电场分布的影响 | 第45-47页 |
| 4.1.3 结果与讨论：外加电压强度对瞬态效应的影响 | 第47-48页 |
| 4.1.4 结果与讨论：一维模型与三维模型模拟结果的对比 | 第48-49页 |
| 4.2 阻变器件三维交叉阵列集成中的焦耳热效应 | 第49-61页 |
| 4.2.1 物理模型介绍 | 第49-51页 |
| 4.2.2 结果与讨论：三维集成阵列中的瞬态焦耳热效应 | 第51-53页 |
| 4.2.3 结果与讨论：编程器件位置对温度的影响 | 第53-54页 |
| 4.2.4 结果与讨论：三维集成阵列中的热串扰 | 第54-56页 |
| 4.2.5 结果与讨论：scaling效应下的热串扰 | 第56-58页 |
| 4.2.6 结果与讨论：热效应对集成阵列endurance特性的影响 | 第58-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结和展望 | 第63-65页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第63-64页 |
| 5.2 对未来研究的展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-74页 |
| 在学期间研究成果 | 第74-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
