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GAN基LED电子束流辐照效应的研究

学位论文的主要创新点第3-4页
摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第9-17页
    1.1 GaN材料及器件概述第9-10页
    1.2 GaN材料及器件应用第10-12页
    1.3 GaN材料及器件的辐照效应的研究第12-14页
    1.4 本文主要研究内容第14-17页
第二章 GaN辐照效应的模拟第17-27页
    2.1 辐照损伤机理第17-20页
        2.1.1 辐照效应第17-19页
        2.1.2 辐照损伤对GaN材料的影响第19-20页
    2.2 辐照过程中能量运输的蒙特卡洛模拟第20-25页
        2.2.1 蒙特卡洛模拟方法简介第20-21页
        2.2.2 电子的传输第21-22页
        2.2.3 高能电子在介质中传输的能量损失第22-25页
    2.3 本章小结第25-27页
第三章 高能辐照GaN基蓝光LED第27-47页
    3.1 高能辐照设备第27-28页
    3.2 LED光电性能测控系统第28-31页
    3.3 高能束流辐照实验第31-33页
    3.4 结果与讨论第33-42页
        3.4.1 辐照对LED发光光谱的影响第34-36页
        3.4.2 高能辐照对LED发光功率的影响第36-41页
        3.4.3 高能辐照对LED工作电流的影响第41-42页
    3.5 辐照作用下GaN基LED的XPS和XRD分析第42-45页
    3.6 本章小结第45-47页
第四章 低能辐照GaN白光LED第47-59页
    4.1 实验设备及装置第48-51页
        4.1.1 粒子加速器第48-49页
        4.1.2 积分球第49-51页
    4.2 低能电子辐照实验第51-52页
    4.3 实验结果及讨论第52-58页
        4.3.1 辐照前后发光光效的对比第53-54页
        4.3.2 辐照前后峰值波长的对比第54-55页
        4.3.3 辐照前后色温的对比第55-57页
        4.3.4 辐照前后色纯度对比第57-58页
    4.4 本章小结第58-59页
第五章 总结与展望第59-63页
    5.1 工作总结第59-61页
    5.2 展望第61-63页
参考文献第63-67页
发表论文和参加科研情况第67-69页
    1. 发表论文情况第67页
    2. 参加科研情况第67-69页
致谢第69页

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