一种新型抗辐照SRAM的设计与验证
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| ·论文研究背景与意义 | 第16页 |
| ·空间辐射环境以及辐射效应 | 第16-20页 |
| ·辐射环境 | 第16-17页 |
| ·电离辐射效应 | 第17-20页 |
| ·国内外研究现状 | 第20页 |
| ·论文的主要内容与章节安排 | 第20-22页 |
| ·本文的工作目标和内容 | 第20-21页 |
| ·章节安排 | 第21-22页 |
| 第二章 SRAM的基本结构及基本加固技术 | 第22-34页 |
| ·SRAM的基本结构以及工作原理 | 第22-23页 |
| ·存储单元的单粒子翻转机理 | 第23-25页 |
| ·SRAM的基本加固技术 | 第25-33页 |
| ·工艺加固 | 第25-26页 |
| ·设计加固 | 第26-32页 |
| ·系统级加固 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第三章 抗辐照加固SRAM存储单元的设计 | 第34-52页 |
| ·本文提出的12管抗SEU SRAM存储单元 | 第34-36页 |
| ·抗单粒子翻转8管SRAM单元设计 | 第34-35页 |
| ·改进的12管SRAM单元 | 第35-36页 |
| ·SRAM抗辐照水平以及常规性能的验证 | 第36-51页 |
| ·瞬态脉冲注入法 | 第36-37页 |
| ·SRAM单元晶体管尺寸的确定 | 第37-38页 |
| ·各存储单元的抗辐照水平的模拟 | 第38-45页 |
| ·各存储单元的常规性能 | 第45-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 第四章 抗辐照SRAM外围电路的设计与加固 | 第52-70页 |
| ·灵敏放大器的设计 | 第52-56页 |
| ·灵敏放大器综述 | 第52-53页 |
| ·灵敏放大器的分类 | 第53-56页 |
| ·预充电电路的设计 | 第56-57页 |
| ·译码电路的设计 | 第57-61页 |
| ·译码电路概述 | 第57-58页 |
| ·行译码器 | 第58-59页 |
| ·多路选择器 | 第59-61页 |
| ·地址变化探测电路的设计 | 第61-65页 |
| ·行驱动器及其他外围电路的设计 | 第65-66页 |
| ·EDAC模块的设计 | 第66-68页 |
| ·EDAC编解码算法 | 第66-67页 |
| ·EDAC电路设计 | 第67-68页 |
| ·小结 | 第68-70页 |
| 第五章 SRAM功能仿真与验证 | 第70-76页 |
| ·SRAM整体功能仿真验证 | 第70-74页 |
| ·SRAM正常读写功能仿真 | 第70-74页 |
| ·EDAC模块的仿真验证 | 第74页 |
| ·SRAM功耗分析 | 第74-75页 |
| ·小结 | 第75-76页 |
| 第六章 结论和展望 | 第76-78页 |
| ·研究结论 | 第76页 |
| ·研究展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 作者简介 | 第82页 |
