| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| ·氢化纳米晶硅薄膜研究现状及应用前景 | 第9-10页 |
| ·氢化纳米晶硅薄膜的主要制备方法 | 第10-12页 |
| ·快速热退火 | 第10页 |
| ·区域熔化再结晶 | 第10-11页 |
| ·金属诱导晶化 | 第11页 |
| ·高氢稀释气相沉积法 | 第11-12页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第12-13页 |
| 第2章 氢化纳米晶硅薄膜的制备与表征 | 第13-18页 |
| ·氢化纳米晶硅薄膜的制备 | 第13-15页 |
| ·实验设备 | 第13-14页 |
| ·样品清洗 | 第14页 |
| ·氢化纳米晶硅薄膜的制备 | 第14-15页 |
| ·氢化纳米晶硅薄膜的表征方法 | 第15-18页 |
| ·薄膜厚度测试 | 第15页 |
| ·光暗电导率测试 | 第15-16页 |
| ·激光拉曼光谱测试 | 第16-17页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第17-18页 |
| 第3章 工艺参数对n型氢化纳米晶硅薄膜晶化特性的影响 | 第18-29页 |
| ·射频功率的影响 | 第18-21页 |
| ·氢稀释比的影响 | 第21-23页 |
| ·沉积温度的影响 | 第23-25页 |
| ·磷掺杂比的影响 | 第25-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第4章 工艺参数对本征氢化纳米晶硅薄膜晶化特性的影响 | 第29-37页 |
| ·射频功率的影响 | 第29-31页 |
| ·氢稀释比的影响 | 第31-33页 |
| ·沉积温度的影响 | 第33-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第5章 工艺参数对p型氢化纳米晶硅薄膜晶化特性的影响 | 第37-45页 |
| ·射频功率的影响 | 第37-39页 |
| ·氢稀释比的影响 | 第39-41页 |
| ·沉积温度的影响 | 第41-42页 |
| ·硼掺杂比的影响 | 第42-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第6章 氢化纳米晶硅薄膜在太阳能电池中的应用 | 第45-48页 |
| ·氢化纳米晶硅薄膜在p-i-n型薄膜太阳能电池中的应用 | 第45-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第7章 金属诱导晶化—锡诱导硅纳米线 | 第48-54页 |
| ·PECVD法制备硅纳米线 | 第48-50页 |
| ·磁控溅射法制备硅纳米线 | 第50-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第8章 工作总结及展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 研究生期间的发表的论文 | 第60-62页 |
| 浙江师范大学学位论文诚信承诺书 | 第62页 |
