| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| ·热电效应理论 | 第11-14页 |
| ·塞贝克效应 | 第12-13页 |
| ·珀尔帖效应 | 第13页 |
| ·汤姆逊效应 | 第13-14页 |
| ·三种效应之间的关系 | 第14页 |
| ·热电性能 | 第14-17页 |
| ·热电效率 | 第14-15页 |
| ·影响热电性能的物理参数 | 第15-17页 |
| ·提高热电性能的方法 | 第17-19页 |
| ·优化材料的载流子浓度 | 第18页 |
| ·降低材料的热导率 | 第18-19页 |
| ·BiCuSeO材料的研究进展 | 第19-21页 |
| ·本论文的研究目的及意义 | 第21-22页 |
| 第2章 样品的制备、表征及性能测试 | 第22-28页 |
| ·脉冲激光沉积技术 | 第22-23页 |
| ·靶材的制备 | 第23-24页 |
| ·实验仪器 | 第23页 |
| ·烧结流程 | 第23-24页 |
| ·材料的微结构表征 | 第24-25页 |
| ·X射线衍射 | 第24页 |
| ·原子力显微镜 | 第24页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| ·透射电子显微镜 | 第25页 |
| ·热电性能测试 | 第25-27页 |
| ·塞贝克系数的测量 | 第25-26页 |
| ·电阻率的测量 | 第26页 |
| ·霍尔性能测试 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 BiCuSeO薄膜的热电性能研究 | 第28-38页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·脉冲激光沉积BiCuSeO薄膜 | 第29-30页 |
| ·单晶衬底的选择 | 第29页 |
| ·靶材的制备 | 第29-30页 |
| ·薄膜沉积 | 第30页 |
| ·样品的微结构分析 | 第30-34页 |
| ·晶体结构 | 第30-32页 |
| ·表面形貌 | 第32页 |
| ·微观形貌 | 第32-34页 |
| ·BiCuSeO薄膜的热电性能研究 | 第34-37页 |
| ·电阻率 | 第34-35页 |
| ·塞贝克系数 | 第35-36页 |
| ·功率因子 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第4章 Pb掺杂对BiCuSeO薄膜热电性能的影响 | 第38-45页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·Bi_(1-x)Pb_xCuSeO薄膜的制备 | 第38-39页 |
| ·Bi_(1-x)Pb_xCuSeO薄膜的微结构分析 | 第39-41页 |
| ·晶体结构 | 第39-40页 |
| ·微观形貌 | 第40-41页 |
| ·Bi_(1-x)Pb_xCuSeO薄膜的热电性能 | 第41-44页 |
| ·电阻率 | 第41-42页 |
| ·塞贝克系数 | 第42-43页 |
| ·功率因子 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第5章 Ba掺杂对BiCuSeO薄膜热电性能的影响 | 第45-51页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·Bi_(1-x)Ba_xCuSeO样品的制备 | 第45-46页 |
| ·Bi_(1-x)Ba_xCuSeO薄膜的微结构分析 | 第46-48页 |
| ·晶体结构 | 第46页 |
| ·微观形貌 | 第46-48页 |
| ·Bi_(1-x)Ba_xCuSeO薄膜的热电性能 | 第48-50页 |
| ·电阻率 | 第48-49页 |
| ·塞贝克系数 | 第49页 |
| ·功率因子 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第6章 在Si衬底上制备BiCuSeO薄膜及其热电性能研究 | 第51-57页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·Si衬底上生长的BiCuSeO薄膜的制备 | 第51-52页 |
| ·Si衬底上生长的BiCuSeO薄膜的微结构分析 | 第52-54页 |
| ·晶体结构 | 第52-53页 |
| ·表面形貌 | 第53页 |
| ·微观形貌 | 第53-54页 |
| ·Si衬底上生长的BiCuSeO薄膜的热电性能 | 第54-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 结束语 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士研究生期间发表的学术论文 | 第65页 |
