| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| ·半导体存储器概述 | 第10-11页 |
| ·新型非挥发性存储器 | 第11-16页 |
| ·铁电存储器（FeRAM） | 第11-13页 |
| ·磁性存储器（MRAM） | 第13页 |
| ·相变存储器（PRAM） | 第13页 |
| ·阻变存储器（RRAM） | 第13-15页 |
| ·RRAM器件的多值存储-电子神经突触的希望 | 第15-16页 |
| ·RRAM器件的存储机制 | 第16-19页 |
| ·缺陷能级的电荷俘获与释放(Trap charging and discharging) | 第16-17页 |
| ·空间电荷限制电流理论（SCLC） | 第17-18页 |
| ·普尔-法兰克效应 （Pool-Frenkel） | 第18页 |
| ·导电细丝理论 （Filament） | 第18-19页 |
| ·肖特基发射效应（Schottky emission） | 第19页 |
| ·电荷俘获存储器（CTM）及其存储机制 | 第19-22页 |
| ·本论文研究的内容及意义 | 第22-24页 |
| 第2章 薄膜制备方法及电学性能测试系统 | 第24-30页 |
| ·薄膜制备方法 | 第24-26页 |
| ·多靶位高真空磁控溅射系统简介 | 第24-25页 |
| ·真空蒸发设备简介 | 第25-26页 |
| ·衬底表面处理 | 第26页 |
| ·工艺参数对磁控溅射法制备薄膜性质的影响 | 第26-29页 |
| ·温度 | 第27页 |
| ·功率 | 第27-28页 |
| ·溅射气压 | 第28页 |
| ·氧分压 | 第28-29页 |
| ·薄膜电学性能测试系统 | 第29-30页 |
| 第3章 基于Ga_2O_3薄膜的多值存储特性研究 | 第30-37页 |
| ·器件制备过程 | 第30页 |
| ·Ag/Ga_2O_3/Pt/Ti/SiO_2/Si结构RRAM器件的电学性能测试及分析 | 第30-36页 |
| ·Ag/Ga_2O_3/Pt/Ti/SiO_2/Si器件的I/V曲线及阻变机理分析 | 第30-32页 |
| ·Ag/Ga_2O_3/Pt/Ti/SiO_2/Si器件的保持特性 | 第32-33页 |
| ·Ag/Ga_2O_3/Pt/Ti/SiO_2/Si器件的抗疲劳性 | 第33-34页 |
| ·Ag/Ga_2O_3/Pt/Ti/SiO_2/Si器件的电阻渐变调制 | 第34-35页 |
| ·Ag/Ga_2O_3/Pt/Ti/SiO_2/Si器件的多值存储保持能力及机理分析 | 第35-36页 |
| ·结论 | 第36-37页 |
| 第4章 基于Ga_2O_3薄膜的电荷俘获特性研究 | 第37-44页 |
| ·器件制备过程 | 第37页 |
| ·Au/Ga_2O_3/SiO_2/Si结构CTM器件的电学性能测试及分析 | 第37-43页 |
| ·不同退火温度下Au/Ga_2O_3/SiO_2/Si器件的C/V曲线及机理分析 | 第37-39页 |
| ·Au/Ga_2O_3/SiO_2/Si器件的TEM分析 | 第39-40页 |
| ·不同扫描电压下Au/Ga_2O_3/SiO_2/Si器件的C/V曲线及机理分析 | 第40-41页 |
| ·Au/Ga_2O_3/SiO_2/Si器件的高/低态电容保持特性 | 第41-42页 |
| ·Au/Ga_2O_3/SiO_2/Si 器件的平带电压保持特性 | 第42-43页 |
| ·结论 | 第43-44页 |
| 第5章 结论与展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第49页 |
