| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 1 引言 | 第11-13页 |
| 2 自旋电子学研究进展 | 第13-37页 |
| ·自旋电子学的变革 | 第13-16页 |
| ·磁电阻的分类 | 第16-19页 |
| ·霍尔效应 | 第19-36页 |
| ·霍尔效应的分类 | 第19-24页 |
| ·反常霍尔效应的理论研究进展 | 第24-29页 |
| ·基于反常霍尔效应的自旋电子学材料及器件 | 第29-36页 |
| ·本论文的研究目的与内容 | 第36-37页 |
| 3 材料制备方法与表征方法 | 第37-53页 |
| ·薄膜制备过程 | 第37-40页 |
| ·基片清洗 | 第37页 |
| ·薄膜样品制备 | 第37-40页 |
| ·薄膜的热处理 | 第40页 |
| ·半导体微加工过程 | 第40-44页 |
| ·微纳加工技术 | 第40-42页 |
| ·微纳加工器件基本流程 | 第42-44页 |
| ·薄膜分析测试表征方法 | 第44-53页 |
| ·薄膜厚度测试 | 第44-46页 |
| ·薄膜磁性及电输运性质的测试 | 第46-48页 |
| ·薄膜化学状态及成分表征 | 第48-49页 |
| ·薄膜微结构表征 | 第49-50页 |
| ·薄膜缺陷表征 | 第50-53页 |
| 4 具有高磁场灵敏度Co基多层膜反常霍尔传感器材料的研究 | 第53-63页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·实验方法 | 第54-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-61页 |
| ·小结 | 第61-63页 |
| 5 复合氧化物提高具有垂直磁各向异性[Co/Pt]_3多层膜反常霍尔效应的研究 | 第63-71页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·实验方法 | 第64页 |
| ·结果与讨论 | 第64-69页 |
| ·小结 | 第69-71页 |
| 6 基于反常霍尔效应的3D存储器材料的研究 | 第71-79页 |
| ·引言 | 第71-72页 |
| ·实验方法 | 第72页 |
| ·结果与讨论 | 第72-78页 |
| ·小结 | 第78-79页 |
| 7 不同界面对MgO/[Co/Pt]_3/MgO三明治结构中磁输运性能影响的研究 | 第79-89页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·实验方法 | 第80页 |
| ·结果与讨论 | 第80-87页 |
| ·小结 | 第87-89页 |
| 8 具有高反常霍尔偏转角的Co基多层膜存储器材料的研究 | 第89-99页 |
| ·引言 | 第89-90页 |
| ·实验方法 | 第90页 |
| ·结果与讨论 | 第90-97页 |
| ·小结 | 第97-99页 |
| 9 结论 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-117页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第117-123页 |
| 学位论文数据集 | 第123页 |
