论文创新点 | 第1-9页 |
摘要 | 第9-11页 |
Abstract | 第11-14页 |
引言 | 第14-15页 |
第一章 绪论 | 第15-32页 |
摘要 | 第15页 |
·ZnO材料的基本性质 | 第15-19页 |
·ZnO材料的晶体结构 | 第15-16页 |
·ZnO材料的本征缺陷 | 第16-17页 |
·ZnO材料的电光学特性 | 第17-19页 |
·低维ZnO材料的应用 | 第19-25页 |
·压电发电机 | 第20页 |
·光敏探测器 | 第20-22页 |
·薄膜晶体管 | 第22-23页 |
·太阳能电池 | 第23-24页 |
·电致发光器件 | 第24-25页 |
·低维ZnO材料常用制备工艺简介 | 第25-30页 |
·气相输运法 | 第25-26页 |
·溶液水热法 | 第26页 |
·化学气相沉积 | 第26-27页 |
·分子束外延 | 第27-28页 |
·脉冲激光沉积 | 第28-29页 |
·射频磁控溅射 | 第29-30页 |
·本论文的研究内容与意义 | 第30-32页 |
第二章 零维ZnO量子点电致发光器件 | 第32-52页 |
摘要 | 第32页 |
·ZnO量子点制备综述及电致发光器件研究进展 | 第32-37页 |
·ZnO量子点的制备综述 | 第32-33页 |
·ZnO量子点发光器件研究进展 | 第33-35页 |
·ZnO量子点发光器件的可进一步的创新点 | 第35-37页 |
·n-ZnO QDs/HfO_2/p-GaN发光器件的制备 | 第37-41页 |
·引言 | 第37-38页 |
·n-ZnO QDs/HfO_2/p-GaN发光器件的制备 | 第38-41页 |
·材料和器件性能表征与讨论 | 第41-50页 |
·ZnO量子点的表征 | 第41-44页 |
·HfO_2/p-GaN价带带阶的计算 | 第44-46页 |
·n-ZnO QDs/HfO_2/p-GaN器件的电、光学性能测试 | 第46-50页 |
·本章小结 | 第50-52页 |
第三章 一维ZnO纳米线电致发光器件 | 第52-87页 |
摘要 | 第52页 |
·一维ZnO纳米线制备及电致发光器件研究现状 | 第52-62页 |
·一维ZnO纳米线的制备综述 | 第52-56页 |
·一维ZnO纳米线电致发光器件研究现状 | 第56-60页 |
·一维ZnO纳米线基电致发光器件的可创新点 | 第60-62页 |
·一维ZnO纳米杆/p-GaN直接接合发光器件 | 第62-70页 |
·引言 | 第62页 |
·ZnO纳米杆/p-GaN直接接合发光器件的制备 | 第62-65页 |
·材料和器件性能表征与讨论 | 第65-70页 |
·ZnO纳米杆的SEM和TEM表征 | 第65-66页 |
·直接接合异质结发光器件的电、光学性能测试 | 第66-70页 |
·一维n-ZnO@i-MgO核壳纳米线/p-NiO发光器件 | 第70-85页 |
·引言 | 第70-71页 |
·n-ZnO@i-MgO核壳纳米线/p-NiO发光器件的制备 | 第71-73页 |
·材料和器件性能表征与讨论 | 第73-85页 |
·ZnO纳米线与核壳纳米线的SEM和TEM表征 | 第73-78页 |
·核壳纳米线发光器件的电、光学性能表征 | 第78-85页 |
·本章小结 | 第85-87页 |
第四章 二维ZnO量子阱发光器件的制备 | 第87-103页 |
摘要 | 第87页 |
·二维ZnO量子阱的制备及电致发光器件研究现状 | 第87-92页 |
·二维ZnO量子阱的制备综述 | 第87-88页 |
·二维ZnO量子阱电致发光器件研究现状 | 第88-91页 |
·二维ZnO量子阱电致发光器件的可创新点 | 第91-92页 |
·基于ZnO/MgZnO量子阱的MIS结构发光器件 | 第92-95页 |
·引言 | 第92-93页 |
·基于ZnO/MgZnO量子阱的MIS结构发光器件的制备 | 第93-95页 |
·材料和器件性能表征与讨论 | 第95-102页 |
·MgZnO薄膜及ZnO/MgZnO量子阱的表征 | 第95-96页 |
·ZnO/MgZnO MIS结构发光器件的电、光学性能表征 | 第96-102页 |
·本章小结 | 第102-103页 |
第五章 总结与展望 | 第103-107页 |
·总结 | 第103-105页 |
·展望 | 第105-107页 |
中外文参考文献 | 第107-125页 |
攻博期间发表的学术论文及申请的专利 | 第125-128页 |
致谢 | 第128页 |