| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| §1.1 引言 | 第9页 |
| §1.2 新一代非挥发存储器 | 第9-11页 |
| §1.2.1 铁电存储器(FeRAM) | 第9-10页 |
| §1.2.2 磁性存储器(MRAM) | 第10页 |
| §1.2.3 相变存储器(PRAM) | 第10页 |
| §1.2.4 阻变存储器(RRAM) | 第10-11页 |
| §1.2.5 各种存储器的性能参数对比 | 第11页 |
| §1.3 阻变存储材料 | 第11-12页 |
| §1.3.1 钙钛矿氧化物 | 第11-12页 |
| §1.3.2 有机化合物 | 第12页 |
| §1.3.3 过渡金属氧化物 | 第12页 |
| §1.4 阻变存储器电阻转换效应 | 第12-13页 |
| §1.5 阻变存储器的电阻转换效应机制 | 第13-17页 |
| §1.5.1 导电细丝理论(Filamentary theory) | 第13-15页 |
| §1.5.2 空间电荷限制电流效应(Space charge limited current) | 第15-16页 |
| §1.5.3 肖特基势垒模型(Schottky barrier model) | 第16页 |
| §1.5.4 缺陷能级的电子俘获和释放理论(Charge-trap model) | 第16页 |
| §1.5.5 普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel) | 第16-17页 |
| §1.5.6 导电机制小结 | 第17页 |
| §1.6 影响RRAM存储性能的因素 | 第17-18页 |
| §1.6.1 电极材料对RRAM阻变存储特性的影响 | 第17-18页 |
| §1.6.2 掺杂对RRAM阻变存储特性的影响 | 第18页 |
| §1.7 研究意义及内容 | 第18-20页 |
| §1.7.1 研究意义 | 第18-19页 |
| §1.7.2 研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 实验方法与步骤 | 第20-25页 |
| §2.1 胶体制备 | 第20页 |
| §2.1.1 ZnMn_2O_4胶体制备 | 第20页 |
| §2.1.2 Zn_(1-x)Cu_xMn_2O_4胶体制备 | 第20页 |
| §2.1.3 ZnMn_(2-y)Fe_yO_4胶体制备 | 第20页 |
| §2.2 阻变薄膜制备 | 第20-21页 |
| §2.3 热处理 | 第21页 |
| §2.4 上电极制备 | 第21-22页 |
| §2.5 材料结构与特性分析 | 第22-23页 |
| §2.5.1 X射线衍射分析(XRD) | 第22-23页 |
| §2.5.2 扫描电镜测试分析(SEM) | 第23页 |
| §2.6 电性能测试 | 第23-25页 |
| §2.6.1 霍尔效应测试ZnMn_2O_4导电类型 | 第23-24页 |
| §2.6.2 Ⅰ-Ⅴ曲线测试 | 第24页 |
| §2.6.3 阻抗测试 | 第24-25页 |
| 第三章 膜厚和退火温度对Ag/ZnMn_2O_4/p~(++)-Si器件阻变特性的影响 | 第25-38页 |
| §3.1 薄膜厚度对Ag/ZnMn_2O_4/p~(++)-Si器件阻变特性的影响 | 第25-33页 |
| §3.1.1 XRD&SEM结果分析 | 第25-26页 |
| §3.1.2 ZnMn_2O_4/SiO_2/Si样品霍尔效应测试结果与分析 | 第26-27页 |
| §3.1.3 Ag/ZnMn_2O_4/p~(++)-Si器件阻变特性结果与分析 | 第27-30页 |
| §3.1.4 Ag/ZnMn_2O_4/p~(++)-Si器件的阻抗谱分析 | 第30-31页 |
| §3.1.5 Ag/ZnMn_2O_4/p~(++)-Si器件的疲劳特性 | 第31-33页 |
| §3.2 退火温度存储器阻变特性的影响 | 第33-37页 |
| §3.2.1 XRD&SEM结果分析 | 第33-34页 |
| §3.2.2 Ag/ZnMn_2O_4/p~(++)-Si器件阻变特性结果与分析 | 第34-37页 |
| §3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 电极对TE/ZnMn_2O_4/BE器件阻变特性的影响 | 第38-55页 |
| §4.1 上电极对TE/ZnMn_2O_4/p~(++)-Si结构器件阻变特性的影响 | 第38-43页 |
| §4.1.1 TE/ZnMn_2O_4/p~(++)-Si结构器件阻变特性结果与分析 | 第39-42页 |
| §4.1.2 TE/ZnMn_2O_4/p~(++)-Si器件阻变特性小结 | 第42-43页 |
| §4.2 上电极对TE/ZnMn_2O_4/Pt结构器件阻变特性的影响 | 第43-48页 |
| §4.2.1 XRD&SEM结果与分析 | 第43-44页 |
| §4.2.2 TE/ZnMn_2O_4/Pt器件阻变特性结果与分析 | 第44-48页 |
| §4.2.3 不同电极TE/ZnMn_2O_4/Pt器件阻变特性小结 | 第48页 |
| §4.3 上电极对TE/ZnMn_2O_4/n~(++)-Si结构器件阻变特性的影响 | 第48-50页 |
| §4.3.1 XRD&SEM结果与分析 | 第48-49页 |
| §4.3.2 TE/ZnMn_2O_4/n~(++)-Si器件阻变特性结果与分析 | 第49-50页 |
| §4.4 下电极功函数计算与结果分析 | 第50-54页 |
| §4.4.1 功函数计算 | 第50-52页 |
| §4.4.2 能带理论分析 | 第52-54页 |
| §4.6 TE/ZnMn_2O_4/BE结构器件小结 | 第54-55页 |
| 第五章 掺杂对Ag/Cu/ZnMn_2O_4/Pt器件阻变特性的影响 | 第55-64页 |
| §5.1 霍尔效应测试结果与分析 | 第55页 |
| §5.2 Cu掺杂对Ag/Cu/Zn(1-x)Cu_xMn_2O_4/Pt器件阻变特性的影响 | 第55-59页 |
| §5.2.1 XRD&SEM结果与分析 | 第55-57页 |
| §5.2.2 Cu掺杂Ag/Cu/Zn(1-x)Cu_xMn_2O_4/Pt器件阻变特性结果与分析 | 第57-58页 |
| §5.2.3 Ag/Cu//Zn(1-x)Cu_xMn_2O_4/Pt器件阻变特性小结 | 第58-59页 |
| §5.3 Fe掺杂对Ag/Cu/ZnMn_(2-y)Fe_yO_4/Pt器件阻变特性的影响 | 第59-62页 |
| §5.3.1 XRD&SEM结果与分析 | 第59-60页 |
| §5.3.2 Fe掺杂Ag/Cu/ZnMn_(2-y)Fe_yO_4/Pt器件阻变特性结果与分析 | 第60-62页 |
| §5.3.3 Ag/Cu/ZnMn_(2-y)Fe_yO_4/Pt器件阻变特性小结 | 第62页 |
| §5.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第六章 结论与展望 | 第64-66页 |
| §6.1 结论 | 第64-65页 |
| §6.2 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 作者在硕士研究生阶段主要成果 | 第74页 |
