| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| ·课题背景 | 第11-12页 |
| ·非晶硅(a-Si：H)薄膜 | 第12-15页 |
| ·非晶硅(a-Si：H)薄膜简介 | 第12页 |
| ·非晶硅(a-Si：H)薄膜的结构与性能 | 第12-14页 |
| ·非晶硅(a-Si：H)薄膜的应用 | 第14-15页 |
| ·纳米硅(nc-Si：H)薄膜 | 第15-17页 |
| ·纳米硅(nc-Si：H)薄膜简介 | 第15页 |
| ·纳米硅(nc-Si：H)薄膜的结构和性能 | 第15-16页 |
| ·纳米硅(nc-Si：H)薄膜薄膜的应用 | 第16-17页 |
| ·碳化硅(a-Si_(1-x)：H_x)薄膜 | 第17-19页 |
| ·碳化硅(a-Si_(1-x)：H-x)薄膜概述 | 第17页 |
| ·碳化硅(a-Si_(1-x)：H_x)薄膜的结构和性能 | 第17-18页 |
| ·碳化硅(a-Si_(1-x)：H_x)薄膜的应用 | 第18-19页 |
| ·硅纳米线 | 第19-21页 |
| ·硅纳米线概述 | 第19-20页 |
| ·硅纳米线的结构和性能 | 第20页 |
| ·硅纳米线的应用 | 第20-21页 |
| ·硅系薄膜制备方法 | 第21-23页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积法(PECVD) | 第21-22页 |
| ·溅射法 | 第22页 |
| ·光化学气相沉积法(光-CVD) | 第22页 |
| ·热丝化学气相沉积法(HW-CVD) | 第22-23页 |
| ·硅纳米线的制备方法 | 第23页 |
| ·金属催化VLS法 | 第23页 |
| ·RIE法 | 第23页 |
| ·金属催化化学刻蚀法 | 第23页 |
| ·非晶硅(a-Si：H)薄膜的晶化 | 第23-25页 |
| ·非晶硅(a-Si：H)薄膜晶化概述 | 第23-24页 |
| ·非晶硅(nc-Si：H)的晶化方法 | 第24-25页 |
| ·高温退火晶化 | 第24页 |
| ·快速退火晶化 | 第24页 |
| ·等离子退火晶化 | 第24-25页 |
| ·金属诱导晶化 | 第25页 |
| ·选题依据与研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 实验制备与分析测试 | 第27-33页 |
| ·实验设备 | 第27-29页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备 | 第27-28页 |
| ·快速退火炉 | 第28页 |
| ·小型磁控溅射设备 | 第28-29页 |
| ·原材料与衬底 | 第29页 |
| ·PECVD原料气体 | 第29页 |
| ·小型磁控溅射靶材靶材和气源 | 第29页 |
| ·衬底 | 第29页 |
| ·样品制备与处理 | 第29-30页 |
| ·衬底处理 | 第29页 |
| ·非晶硅(a-Si：H)薄膜和氢化非晶硅碳化硅(a-Si_(1-x)：H_x)薄膜制备 | 第29-30页 |
| ·快速退火处理 | 第30页 |
| ·分析与测试方法 | 第30-33页 |
| ·傅里叶红外变换光谱(FTIR) | 第30-31页 |
| ·激光拉曼光谱(Raman) | 第31页 |
| ·紫外可见透射光谱(UV-vis) | 第31-32页 |
| ·境透射电子电镜(ETEM) | 第32页 |
| ·椭偏测试 | 第32-33页 |
| 第三章 非晶硅(a-Si：H)薄膜原位晶化与微结构研究 | 第33-43页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·非晶硅(a-Si：H)薄膜的制备和处理 | 第34页 |
| ·非晶硅薄膜的原位晶化过程与微结构变化 | 第34-41页 |
| ·胚晶的出现 | 第34-37页 |
| ·晶粒的旋转与生长 | 第37-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 键结构对氢化非晶碳化硅(a-Si_(1-x)：H)薄膜光学性能的影响研究 | 第43-51页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·氢化非晶碳化硅(a-Si_(1-x)C_x：H)薄膜的制备与处理 | 第44页 |
| ·氢化非晶碳化硅(a-Si_(1-x)C_x：H)薄膜的键结构 | 第44-47页 |
| ·极化化学键 | 第44-46页 |
| ·非极化化学键 | 第46-47页 |
| ·键结构对氢化非晶碳化硅(a-Si_(1-x)C_x：H)薄膜光学性能的影响 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 TCO自催化硅纳米线的制备 | 第51-59页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·TCO自催化硅纳米线的制备 | 第51页 |
| ·TCO自催化硅纳米线的生长机制 | 第51-52页 |
| ·硅纳米线的微结构研究 | 第52-56页 |
| ·同衬底温度对硅纳米线形貌的影响 | 第52-55页 |
| ·硅纳米线的晶化情况 | 第55-56页 |
| ·硅纳米线的光学性能 | 第56-58页 |
| ·本章总结 | 第58-59页 |
| 第六章 全文总结及研究展望 | 第59-61页 |
| ·研究结论 | 第59-60页 |
| ·研究展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 个人简历 | 第71-73页 |
| 攻读研究生期间发表的论文与取得的其他研究成果 | 第73页 |
