第1章 绪论 | 第1-35页 |
·半导体材料 | 第7-12页 |
·半导体材料的概述 | 第7-8页 |
·钒酸铋的基本性质 | 第8-10页 |
·二氧化钛的基本性质 | 第10-12页 |
·半导体的光催化性质 | 第12-15页 |
·光催化的研究背景 | 第12页 |
·光催化活性的影响因素 | 第12-15页 |
·半导体的气敏性质 | 第15-18页 |
·气体传感器概述 | 第15页 |
·半导体气体传感器概念 | 第15-16页 |
·半导体金属氧化物气敏机理 | 第16-18页 |
·微结构对半导体功能的调控 | 第18-25页 |
·光催化性能的调控 | 第18-20页 |
·气敏性能的调控 | 第20-22页 |
·异质结构的功能调控 | 第22-25页 |
·本文的选题目的、意义及研究内容 | 第25-26页 |
参考文献 | 第26-35页 |
第2章 大孔结构的 V_2O_5-BiVO_4复合物:异质结构对于光生电荷行为的影响 | 第35-55页 |
·引言 | 第35-36页 |
·V_2O_5-BiVO_4复合半导体材料 | 第36-44页 |
·胶体碳球的合成和表征 | 第36-37页 |
·V_2O_5-BiVO_4异质结半导体材料的合成 | 第37-39页 |
·V_2O_5-BiVO_4异质结半导体材料的表征 | 第39-44页 |
·异质结构对光生电荷行为影响的研究 | 第44-49页 |
·利用表面光电压谱(SPS)和瞬态光电压(TPV)技术 | 第44-49页 |
·本章小结 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-55页 |
第3章 富含活性氢的多孔钒掺杂二氧化钛:室温条件下选择性氢化芳香硝基的可再生还原剂 | 第55-73页 |
·引言 | 第55-56页 |
·V-TiO_2(H~*)还原剂 | 第56-65页 |
·V-TiO_2(H~*)的合成 | 第56-60页 |
·V-TiO_2(H~*)还原剂中活性氢(H~*)的本质 | 第60-61页 |
·V-TiO_2(H~*)还原剂中活性氢(H~*)的含量 | 第61-64页 |
·V-TiO_2(H~*)还原剂中钒掺杂的本质 | 第64-65页 |
·V-TiO_2(H~*)还原剂还原芳香硝基 | 第65-68页 |
·V-TiO_2(H~*)还原剂还原芳香硝基的实验方法 | 第65-66页 |
·V-TiO_2(H~*)还原剂还原芳香硝基的活性和选择性 | 第66-67页 |
·V-TiO_2(H~*)还原剂的循环再生能力 | 第67-68页 |
·本章小结 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-73页 |
第4章 Ti~(3+)高度自掺杂多孔二氧化钛:一个先进的室温 CO 气敏材料 | 第73-93页 |
·引言 | 第73-74页 |
·Ti~(3+)-TiO_2气敏材料的制备 | 第74-75页 |
·无定形多孔 TiO_2前驱体的制备 | 第74页 |
·Ti~(3+)-TiO_2气敏材料的制备 | 第74-75页 |
·Ti~(3+)-TiO_2气敏材料的合成与讨论 | 第75-84页 |
·中间体 C_3N_4的形成与讨论 | 第75-80页 |
·Ti~(3+)-TiO_2的组成分析 | 第80-83页 |
·Ti~(3+)-TiO_2中的 Ti~(3+)的功能讨论 | 第83-84页 |
·Ti~(3+)-TiO_2的室温气敏性质 | 第84-87页 |
·Ti~(3+)-TiO_2的室温气敏性质的实现机制 | 第84页 |
·Ti~(3+)-TiO_2的室温气敏性能 | 第84-87页 |
·Ti~(3+)-TiO_2的气敏性质机理 | 第87页 |
·本章小结 | 第87-89页 |
参考文献 | 第89-93页 |
第5章 多孔无定形二氧化钛室温自发晶化:高比表面积,高活性二氧化钛光催化材料的节能制备 | 第93-105页 |
·引言 | 第93-94页 |
·室温晶化二氧化钛(RT-TiO_2)的制备 | 第94-95页 |
·无定形多孔 TiO_2前驱体的制备 | 第94页 |
·室温晶化二氧化钛(RT-TiO_2)的制备 | 第94-95页 |
·室温晶化二氧化钛(RT-TiO_2)的组成和结构 | 第95-98页 |
·RT-TiO_2的组成 | 第95-97页 |
·RT-TiO_2的结构 | 第97-98页 |
·室温晶化二氧化钛(RT-TiO_2)的光解水产氢性质 | 第98-100页 |
·光解水产氢的实验 | 第99页 |
·光解水产氢讨论 | 第99-100页 |
·本章小结 | 第100-102页 |
参考文献 | 第102-105页 |
作者简介 | 第105-107页 |
致谢 | 第107-108页 |
摘要 | 第108-110页 |
Abstract | 第110-112页 |