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钒酸铋和二氧化钛多孔材料:微结构的功能调控作用

第1章 绪论第1-35页
   ·半导体材料第7-12页
     ·半导体材料的概述第7-8页
     ·钒酸铋的基本性质第8-10页
     ·二氧化钛的基本性质第10-12页
   ·半导体的光催化性质第12-15页
     ·光催化的研究背景第12页
     ·光催化活性的影响因素第12-15页
   ·半导体的气敏性质第15-18页
     ·气体传感器概述第15页
     ·半导体气体传感器概念第15-16页
     ·半导体金属氧化物气敏机理第16-18页
   ·微结构对半导体功能的调控第18-25页
     ·光催化性能的调控第18-20页
     ·气敏性能的调控第20-22页
     ·异质结构的功能调控第22-25页
   ·本文的选题目的、意义及研究内容第25-26页
 参考文献第26-35页
第2章 大孔结构的 V_2O_5-BiVO_4复合物:异质结构对于光生电荷行为的影响第35-55页
   ·引言第35-36页
   ·V_2O_5-BiVO_4复合半导体材料第36-44页
     ·胶体碳球的合成和表征第36-37页
     ·V_2O_5-BiVO_4异质结半导体材料的合成第37-39页
     ·V_2O_5-BiVO_4异质结半导体材料的表征第39-44页
   ·异质结构对光生电荷行为影响的研究第44-49页
     ·利用表面光电压谱(SPS)和瞬态光电压(TPV)技术第44-49页
   ·本章小结第49-50页
 参考文献第50-55页
第3章 富含活性氢的多孔钒掺杂二氧化钛:室温条件下选择性氢化芳香硝基的可再生还原剂第55-73页
   ·引言第55-56页
   ·V-TiO_2(H~*)还原剂第56-65页
     ·V-TiO_2(H~*)的合成第56-60页
     ·V-TiO_2(H~*)还原剂中活性氢(H~*)的本质第60-61页
     ·V-TiO_2(H~*)还原剂中活性氢(H~*)的含量第61-64页
     ·V-TiO_2(H~*)还原剂中钒掺杂的本质第64-65页
   ·V-TiO_2(H~*)还原剂还原芳香硝基第65-68页
     ·V-TiO_2(H~*)还原剂还原芳香硝基的实验方法第65-66页
     ·V-TiO_2(H~*)还原剂还原芳香硝基的活性和选择性第66-67页
     ·V-TiO_2(H~*)还原剂的循环再生能力第67-68页
   ·本章小结第68-69页
 参考文献第69-73页
第4章 Ti~(3+)高度自掺杂多孔二氧化钛:一个先进的室温 CO 气敏材料第73-93页
   ·引言第73-74页
   ·Ti~(3+)-TiO_2气敏材料的制备第74-75页
     ·无定形多孔 TiO_2前驱体的制备第74页
     ·Ti~(3+)-TiO_2气敏材料的制备第74-75页
   ·Ti~(3+)-TiO_2气敏材料的合成与讨论第75-84页
     ·中间体 C_3N_4的形成与讨论第75-80页
     ·Ti~(3+)-TiO_2的组成分析第80-83页
     ·Ti~(3+)-TiO_2中的 Ti~(3+)的功能讨论第83-84页
   ·Ti~(3+)-TiO_2的室温气敏性质第84-87页
     ·Ti~(3+)-TiO_2的室温气敏性质的实现机制第84页
     ·Ti~(3+)-TiO_2的室温气敏性能第84-87页
     ·Ti~(3+)-TiO_2的气敏性质机理第87页
   ·本章小结第87-89页
 参考文献第89-93页
第5章 多孔无定形二氧化钛室温自发晶化:高比表面积,高活性二氧化钛光催化材料的节能制备第93-105页
   ·引言第93-94页
   ·室温晶化二氧化钛(RT-TiO_2)的制备第94-95页
     ·无定形多孔 TiO_2前驱体的制备第94页
     ·室温晶化二氧化钛(RT-TiO_2)的制备第94-95页
   ·室温晶化二氧化钛(RT-TiO_2)的组成和结构第95-98页
     ·RT-TiO_2的组成第95-97页
     ·RT-TiO_2的结构第97-98页
   ·室温晶化二氧化钛(RT-TiO_2)的光解水产氢性质第98-100页
     ·光解水产氢的实验第99页
     ·光解水产氢讨论第99-100页
   ·本章小结第100-102页
 参考文献第102-105页
作者简介第105-107页
致谢第107-108页
摘要第108-110页
Abstract第110-112页

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