基于Marangoni效应的数控化学抛光工艺研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·光学表面精密加工技术概述 | 第8-16页 |
| ·数控化学抛光工艺的研究意义 | 第16-17页 |
| ·本论文主要的研究工作和课题来源 | 第17-19页 |
| ·研究内容 | 第17-18页 |
| ·课题来源 | 第18-19页 |
| 第二章 数控化学抛光相关原理 | 第19-33页 |
| ·刻蚀技术 | 第19-21页 |
| ·干法刻蚀及其应用 | 第19-20页 |
| ·湿法刻蚀及其应用 | 第20-21页 |
| ·湿法刻蚀的反应原理 | 第21-23页 |
| ·反应机理 | 第21-22页 |
| ·氢氟酸特性 | 第22页 |
| ·刻蚀液配方对刻蚀速率的影响 | 第22-23页 |
| ·Marangoni效应及表面张力模型 | 第23-28页 |
| ·数控化学抛光理论模型的建立 | 第28-31页 |
| ·数控小工具抛光去除函数 | 第28-30页 |
| ·数控化学抛光理论模型 | 第30-31页 |
| ·数控化学抛光工艺 | 第31-33页 |
| 第三章 实验系统设计及建立 | 第33-42页 |
| ·实验平台设计 | 第33-38页 |
| ·实验平台构造设计 | 第33-35页 |
| ·三维数控机床 | 第35-36页 |
| ·Marangoni界面效应梯度控制器 | 第36-37页 |
| ·辅助设备和装置 | 第37-38页 |
| ·实验系统的软件设计 | 第38-40页 |
| ·抛光刻蚀液的选择 | 第40-42页 |
| 第四章 光学元件亚表面缺陷研究 | 第42-54页 |
| ·亚表面缺陷层的成因分析 | 第42-43页 |
| ·亚表面缺陷变化规律的纵向刻蚀实验 | 第43-44页 |
| ·亚表面缺陷的微观形貌和定量分析 | 第44-46页 |
| ·亚表面缺陷层的刻蚀实验分析 | 第46-52页 |
| ·刻蚀深度与刻蚀速率 | 第46-47页 |
| ·刻蚀深度与激光损伤阈值 | 第47-50页 |
| ·化学抛光后基片表面形貌测量 | 第50-52页 |
| ·亚表面缺陷去除方案 | 第52-54页 |
| 第五章 光学元件化学抛光实验与分析 | 第54-71页 |
| ·数控抛光系统的校正 | 第54-55页 |
| ·Marangoni效应的实验 | 第55-60页 |
| ·定点刻蚀实验 | 第55-57页 |
| ·直线刻蚀实验 | 第57-58页 |
| ·曲线刻蚀实验 | 第58-59页 |
| ·纵向刻蚀实验 | 第59-60页 |
| ·数控化学抛光实验 | 第60-64页 |
| ·刻蚀稳定性实验 | 第60-61页 |
| ·定量刻蚀实验 | 第61-63页 |
| ·位相深度控制实验 | 第63-64页 |
| ·大口径光学元件的面型修复 | 第64-71页 |
| ·光学元件面型的抛光修复 | 第65-67页 |
| ·光学元件光学性能的对比 | 第67-69页 |
| ·粗糙度对比情况 | 第69-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-75页 |
| ·总结 | 第71-73页 |
| ·研究内容和成果 | 第71-72页 |
| ·创新点 | 第72-73页 |
| ·存在不足 | 第73页 |
| ·展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 在读期间发表论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
