| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-27页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·烧结理论 | 第8-12页 |
| ·烧结方法 | 第12-20页 |
| ·反应烧结 | 第13页 |
| ·再结晶烧结法 | 第13-14页 |
| ·Si渗SiC烧结技术 | 第14页 |
| ·常压烧结(Pressureless Sintering) | 第14-15页 |
| ·等离子体电火花烧结(SPS) | 第15页 |
| ·热压烧结 | 第15-16页 |
| ·热等静压烧结 | 第16页 |
| ·高压烧结法 | 第16-20页 |
| ·高温高压实验方法 | 第20-25页 |
| ·试验装置 | 第20-21页 |
| ·两面顶高温高压设备简介 | 第21-22页 |
| ·超高压组件 | 第22-24页 |
| ·压力定标 | 第24-25页 |
| ·研究的内容及目的 | 第25-27页 |
| ·研究目的 | 第25-26页 |
| ·研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 碳化硅烧结体制备 | 第27-38页 |
| ·原料 | 第27页 |
| ·试验设备 | 第27-28页 |
| ·陶瓷制备过程 | 第28-38页 |
| ·原料 | 第28-29页 |
| ·球磨混料 | 第29页 |
| ·CIP造粒与压制 | 第29-30页 |
| ·预烧 | 第30-31页 |
| ·机加配包套 | 第31页 |
| ·压制烧结 | 第31-35页 |
| ·性能测试 | 第35-38页 |
| 第三章 碳化硅烧结体结构分析 | 第38-47页 |
| ·物相组成 | 第38-42页 |
| ·化学成分 | 第42-43页 |
| ·微观组织 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 碳化硅烧结体的物性分析 | 第47-59页 |
| ·烧结工艺对未添加烧结助剂的SiC物性影响 | 第47-51页 |
| ·烧结温度对陶瓷物性影响 | 第47-49页 |
| ·烧结压力对陶瓷物性影响 | 第49-50页 |
| ·保温时间对陶瓷物性影响 | 第50-51页 |
| ·烧结工艺对添加了烧结助剂SiC陶瓷物性影响 | 第51-57页 |
| ·烧结助剂添加量对陶瓷物性影响 | 第52-53页 |
| ·烧结温度对陶瓷物性影响 | 第53-54页 |
| ·烧结压力对陶瓷物性影响 | 第54-55页 |
| ·保温时间对陶瓷物性影响 | 第55-57页 |
| ·超高压烧结SiC简评 | 第57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 总结及创新点 | 第60-61页 |
| 今后的发展方向 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 附录 | 第67页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间论文发表情况 | 第67页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参与学术活动情况 | 第67页 |