| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-25页 |
| ·扫描近场光学显微镜原理及其应用 | 第11-17页 |
| ·瑞利衍射极 | 第11-13页 |
| ·瑞利衍射极限的突破和隐失场 | 第13-15页 |
| ·扫描近场光学显微镜 | 第15-17页 |
| ·探尖的制备技术 | 第17-23页 |
| ·小孔探尖的制备方法 | 第17-19页 |
| ·无孔探尖的制备方法 | 第19-23页 |
| ·本文的研究内容 | 第23-25页 |
| 2 液相外延系统及选择液相外延方法制备GaAs微探尖阵列的主要工艺流程 | 第25-40页 |
| ·液相外延系统 | 第25-33页 |
| ·系统组成 | 第25-28页 |
| ·生长原理 | 第28-31页 |
| ·生长源的配置 | 第31-33页 |
| ·主要工艺流程 | 第33-37页 |
| ·衬底的预处理 | 第33-34页 |
| ·掩膜的制备 | 第34页 |
| ·液相外延生长窗口的制备 | 第34-35页 |
| ·微探尖阵列的液相外延生长 | 第35-37页 |
| ·实验结果及其表征 | 第37-40页 |
| 3 制备GaAs微探尖的液相外延生长条件研究 | 第40-50页 |
| ·研究内容和方法 | 第40-43页 |
| ·掩膜的制备 | 第40-41页 |
| ·光刻与腐蚀 | 第41-43页 |
| ·研究结果及分析 | 第43-50页 |
| ·实验结果 | 第43-45页 |
| ·液相外延生长条件对微探尖生长的影响 | 第45-50页 |
| 4 不同掩膜对选择液相外延生长微探尖阵列影响的研究 | 第50-57页 |
| ·液相沉积SiO_2薄膜 | 第50-52页 |
| ·薄膜制备方法 | 第50-51页 |
| ·实验结果 | 第51-52页 |
| ·磁控溅射SiO_2膜 | 第52-53页 |
| ·薄膜制备方法 | 第52页 |
| ·实验结果 | 第52-53页 |
| ·电子束蒸发SiO_2薄膜 | 第53-54页 |
| ·薄膜制备方法 | 第53页 |
| ·实验结果 | 第53-54页 |
| ·真空热蒸发镀Al膜 | 第54-55页 |
| ·薄膜制备方法 | 第54页 |
| ·实验结果 | 第54-55页 |
| ·液相外延AlGaAs膜 | 第55页 |
| ·薄膜制备方法 | 第55页 |
| ·实验结果 | 第55页 |
| ·实验结果比较与分析 | 第55-56页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| 5 不同形状和不同取向的窗口设计对微探尖生长影响的研究 | 第57-70页 |
| ·研究内容和方法 | 第57页 |
| ·实验结果与分析 | 第57-63页 |
| ·微探尖生长过程的实验验证 | 第63-70页 |
| ·等边三角形窗口中微探尖的生长过程 | 第63-65页 |
| ·圆形窗口中微探尖的生长过程 | 第65-67页 |
| ·正方形窗口中微探尖的生长过程 | 第67-70页 |
| 6 GaAs微探尖的转移以及与VCSEL激光器的集成 | 第70-83页 |
| ·GaAs微探尖的转移 | 第70-78页 |
| ·浓HCl选择腐蚀缓冲层法 | 第70-75页 |
| ·氨水选择腐蚀衬底法 | 第75-78页 |
| ·GaAs微探尖与VCSEL激光器的集成 | 第78-83页 |
| 7 GaAs微探尖生长形态模拟 | 第83-104页 |
| ·GaAs的基本性质及其闪锌矿结构重要参数的计算 | 第83-87页 |
| ·GaAs的基本性质 | 第83-84页 |
| ·GaAs闪锌矿结构重要参数的计算 | 第84-87页 |
| ·晶体生长形态预测方法与运用 | 第87-92页 |
| ·布拉维法则 | 第88-90页 |
| ·BFDH法则 | 第90-92页 |
| ·GaAs微探尖生长形态的SHAPE模拟 | 第92-104页 |
| ·SHAPE | 第92-98页 |
| ·SHAPE模拟结果 | 第98-104页 |
| 结论 | 第104-106页 |
| 创新点摘要 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-115页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第115-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
