| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·ZnO薄膜的概述 | 第13-16页 |
| ·ZnO薄膜的晶体结构 | 第14-15页 |
| ·ZnO薄膜的特性与应用 | 第15-16页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第16-20页 |
| ·物理气相沉积(PVD) | 第16-19页 |
| ·真空蒸发(VE) | 第17页 |
| ·磁控溅射(MS) | 第17页 |
| ·离子束溅射沉积(IBD) | 第17-18页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第18-19页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第19-20页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第19-20页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第20页 |
| ·溶胶—凝胶法(Sol-Gel) | 第20页 |
| ·薄膜的检测技术 | 第20-24页 |
| ·结构分析 | 第21页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第21-22页 |
| ·薄膜电阻测试 | 第22-23页 |
| ·光学性能分析 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第二章 射频(RF)磁控溅射和离子束溅射制备ZnO薄膜 | 第25-35页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·溅射的基本原理 | 第26-31页 |
| ·磁控溅射镀膜机理 | 第27-29页 |
| ·离子束溅射镀膜机理 | 第29-31页 |
| ·薄膜的沉积过程 | 第31-32页 |
| ·衬底的清洗方法 | 第32-33页 |
| ·FJL56081型超高真空磁控与离子束联合溅射设备制备ZnO薄膜 | 第33-34页 |
| ·射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的操作步骤 | 第33页 |
| ·离子束溅射法制备ZnO薄膜的操作步骤 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 射频磁控溅射沉积ZnO薄膜的工艺与性能研究 | 第35-43页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·不同沉积时间下的ZnO薄膜XRD与AFM分析 | 第36-39页 |
| ·退火对室温下沉积的ZnO薄膜结构与形貌的影响 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 离子束溅射法制备的ZnO薄膜性能研究 | 第43-57页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·不同退火温度下的ZnO薄膜XRD分析 | 第43-44页 |
| ·不同沉积时间下的ZnO薄膜XRD与AFM分析 | 第44-48页 |
| ·退火过程中不同保温时间下的ZnO薄膜XRD与AFM分析 | 第48-51页 |
| ·不同衬底上制备的ZnO薄膜结构分析 | 第51-53页 |
| ·采用离子束辅助溅射枪对ZnO薄膜二次溅射处理的研究 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 射频磁控溅射与离子束溅射制备的ZnO薄膜特性分析 | 第57-63页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·实验 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-62页 |
| ·晶体结构 | 第58-59页 |
| ·表面形貌 | 第59-61页 |
| ·薄膜电阻率 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 附录:攻读硕士期间发表的论文 | 第71页 |
