| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| §1.1 表面等离子体研究的历史里程碑 | 第13-14页 |
| §1.2 表面等离子体亚波长光学的形成和发展 | 第14-22页 |
| §1.2.1 表面等离子体的近场研究 | 第16-17页 |
| §1.2.2 基于表面等离子体的光子学器件 | 第17-22页 |
| §1.2.3 表面等离子体亚波长光学发展方向 | 第22页 |
| §1.3 本论文的研究内容 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-28页 |
| 第二章 SPs研究的基本理论和数值分析方法 | 第28-50页 |
| §2.1 表面等离子体的基本性质 | 第28-37页 |
| §2.1.1 表面等离子体的色散关系 | 第28-32页 |
| §2.1.2 表面等离子体的激发方式 | 第32-34页 |
| §2.1.3 表面等离子体的四个特征长度参数 | 第34-37页 |
| §2.2 金属介质的色散性质 | 第37-39页 |
| §2.3 SPs研究的主要数值方法 | 第39-47页 |
| §2.3.1 严格耦合波分析法RCWA简介 | 第40-41页 |
| §2.3.2 时域有限差分法FDTD | 第41-43页 |
| §2.3.3 FDTD的介质界面电磁参数选取 | 第43-44页 |
| §2.3.4 FDTD的边界条件 | 第44-46页 |
| §2.3.5 FDTD的数值稳定性 | 第46-47页 |
| §2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第三章 AFM辅助表面等离子体泄漏模式光刻技术 | 第50-70页 |
| §3.1 现有光刻技术简介 | 第51-52页 |
| §3.2 AFM工作模式简介 | 第52-54页 |
| §3.3 AFM辅助表面等离子体泄漏模式光刻技术 | 第54-67页 |
| §3.3.1 金属光栅侧端激发表面等离子体光刻技术 | 第55-60页 |
| §3.3.2 移离ATR激发表面等离子体光刻技术 | 第60-67页 |
| §3.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第四章 TE偏振亚波长金属光栅的增强透过性质 | 第70-88页 |
| §4.1 矩形亚波长金属光栅的透过性质 | 第70-78页 |
| §4.1.1 单层介质膜包覆情形 | 第71-75页 |
| §4.1.2 双层介质膜包覆情形 | 第75-78页 |
| §4.2 椭圆形亚波长金属光栅的透过性质 | 第78-82页 |
| §4.2.1 介质膜厚度对透过谱的影响 | 第79-81页 |
| §4.2.2 椭圆形貌比对透过谱的影响 | 第81页 |
| §4.2.3 非对称结构的透过谱 | 第81-82页 |
| §4.3 通信波长1550nm的偏振器件设计 | 第82-84页 |
| §4.4 本章小结 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-88页 |
| 第五章 近场探针激发下的量子点共振能量转移研究 | 第88-104页 |
| §5.1 基于量子点间共振能量转移的纳米光开关模型 | 第88-92页 |
| §5.2 近场探针激发下单个荧光分子的发光特性 | 第92-95页 |
| §5.3 近场激发下量子点间的共振能量转移 | 第95-101页 |
| §5.3.1 量子化处理模型 | 第95-98页 |
| §5.3.2 分析与讨论 | 第98-101页 |
| §5.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-104页 |
| 第六章 论文总结与展望 | 第104-106页 |
| §6.1 主要研究工作 | 第104-105页 |
| §6.2 展望和建议 | 第105-106页 |
| 攻读博士期间发表的论文目录 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108页 |