| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 综述 | 第12-47页 |
| ·提高高温超导体临界电流密度的因素和方法 | 第13-15页 |
| ·通过元素替代效应提高高温超导体临界电流密度 | 第15-27页 |
| ·CuO_2面内的元素替代效应 | 第17-19页 |
| ·CuO_2面外的元素替代效应 | 第19-21页 |
| ·REBa_2Cu_3O_(7-δ)体系中RE~(3+)对Ba~(2+)的替代效应 | 第21-27页 |
| ·通过辐照提高高温超导体的临界电流密度 | 第27-37页 |
| ·辐照粒子的质量、能量与剂量对辐照缺陷微结构的影响 | 第27-32页 |
| ·中子辐照对超导体性能的影响 | 第32-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-47页 |
| 第二章 名义组份Gd_(1+2x)Ba_(2+x)Cu_(3+x)O_(7-δ)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)超导体系单畴块材的制备与微结构特性 | 第47-65页 |
| ·引言 | 第47-49页 |
| ·GdBa_2Cu_3O_(7-δ)超导相的基本特点及名义组份Gd_(1+2x)Ba_(2+x)Cu_(3+x)O_(7-δ)(x≥0)超导体系的应用前景 | 第47-48页 |
| ·名义组份Gd_(1+2x)Ba_(2+x)Cu(3+x)O_(7-δ)(x≥0)超导体系单畴块材的制备工艺简介 | 第48-49页 |
| ·名义组份Gd_(1+2x)Ba_(2+x)Cu_(3+x)O_(7-δ)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)超导体系单畴块材的制备与测试 | 第49-51页 |
| ·名义组份Gd_(1+2x)Ba_(2+x)Cu_(3+x)O_(7-δ)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)超导体系单畴块材的微结构特性 | 第51-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 第三章 名义组份Gd_(1+2x)Ba_(2+x)Cu_(3+x)O_(7-δ)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)超导体系单畴块材的磁通动力学和临界电流密度 | 第65-79页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·磁测量研究 | 第66-71页 |
| ·H∥c的输运测量研究 | 第71-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 第四章 中子辐照对名义组份Gd_(1.4)Ba_(2.2)Cu_(3.2)O_(7-δ)和Gd_(1.8)Ba_(2.4)Cu_(3.4)O_(7-δ)超导体单畴块材的微结构及临界电流密度的影响 | 第79-93页 |
| ·引言 | 第79页 |
| ·实验方法 | 第79-80页 |
| ·结果与讨论 | 第80-89页 |
| ·本章小结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第五章 中子辐照对名义组份GdBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体单畴块材的微结构及临界电流密度的影响 | 第93-104页 |
| ·引言 | 第93-94页 |
| ·实验方法 | 第94页 |
| ·结果与讨论 | 第94-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-104页 |
| 博士期间发表的论文情况 | 第104页 |
