| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 前言 | 第9-18页 |
| ·纳米材料的概述 | 第9-10页 |
| ·纳米材料的基本特性 | 第10-11页 |
| ·量子尺寸效应 | 第10页 |
| ·小尺寸效应 | 第10页 |
| ·表面效应 | 第10页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第10页 |
| ·库仑堵塞与量子隧穿 | 第10-11页 |
| ·介电限域效应 | 第11页 |
| ·SiO_2 纳米线、SnO_2 纳米带的制备方法 | 第11-13页 |
| ·以溶液为媒介基础的合成法 | 第11-12页 |
| ·以气相为媒介基础的合成法 | 第12-13页 |
| ·纳米材料的发光性质 | 第13-14页 |
| ·量子限域效应发光 | 第13页 |
| ·与氧有关的缺陷发光 | 第13-14页 |
| ·杂质发光 | 第14页 |
| ·SiO_2 纳米线的发光特性 | 第14页 |
| ·SnO_2 纳米带的发光特性 | 第14-15页 |
| ·SiO_2 纳米线和 SnO_2 纳米带的研究现状 | 第15页 |
| ·本论文的研究意义、研究目的及主要内容和章节安排 | 第15-18页 |
| 第2章 SiO_2 纳米线和 SiO_2 纳米灯笼的制备及生长机理研究 | 第18-33页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·实验设备及实验方法 | 第18-19页 |
| ·制备温度和衬底温度均匀性对 SiO_x 纳米线的影响 | 第19-23页 |
| ·不同制备温度对 SiO_x 纳米线的影响 | 第19-21页 |
| ·硅片上温度均匀性对纳米线的影响 | 第21-22页 |
| ·能谱分析 | 第22-23页 |
| ·无催化剂和 Pt 作催化剂生长 SiO_2 纳米线 | 第23-26页 |
| ·实验制备 | 第23页 |
| ·实验结果及分析 | 第23-26页 |
| ·SiO_2 纳米灯笼的制备、表征和生长机理分析 | 第26-32页 |
| ·扫描电镜分析 | 第26-27页 |
| ·透射电镜和选区电子衍射分析 | 第27-29页 |
| ·能谱分析 | 第29页 |
| ·纳米灯笼生长机理分析 | 第29-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第3章 SnO_2 纳米带的制备及表征 | 第33-40页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·实验设备及实验过程 | 第33-34页 |
| ·实验结果表征与生长机制分析 | 第34-39页 |
| ·扫描电镜和 X 射线衍射分析 | 第34-35页 |
| ·透射电镜和高分辨透射电镜以及选区电子衍射分析 | 第35-36页 |
| ·纳米带中白色斑点高分辨透射电镜、选区电子衍射和能谱分析 | 第36-38页 |
| ·SnO_2 纳米带生长机制分析 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第4章 SnO_2 纳米带和 SiO_2 纳米线的发光性质研究 | 第40-44页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·SnO_2 纳米带光致发光性质研究 | 第40-42页 |
| ·SiO_2 纳米线光致发光性质研究 | 第42-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第5章 总结与展望 | 第44-46页 |
| ·总结 | 第44-45页 |
| ·展望 | 第45-46页 |
| 攻读硕士期间完成和发表的论文 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
