| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-46页 |
| ·电力电子技术简介 | 第16-18页 |
| ·智能功率集成电路简介 | 第18-25页 |
| ·智能功率集成电路概况简介 | 第18-21页 |
| ·智能功率集成电路的发展和应用 | 第21-25页 |
| ·电力电子器件简介 | 第25-29页 |
| ·电力电子器件概况简介 | 第25-28页 |
| ·LDMOS器件概况简介 | 第28-29页 |
| ·LDMOS器件的主要结构 | 第29-36页 |
| ·1979年出现的RESURF LDMOS及其改进 | 第30-32页 |
| ·优化横向变掺杂技术和新结构OPTVLD-LDMOS | 第32-34页 |
| ·SPIC中常用的10V～120V LDMOS的器件结构 | 第34-36页 |
| ·LDMOS的基本特性、工作条件与电热效应 | 第36-44页 |
| ·LDMOS器件的基本特性 | 第36-38页 |
| ·LDMOS器件的工作条件 | 第38-42页 |
| ·不期望的异常瞬态单脉冲 | 第38-40页 |
| ·正常开关模式的多脉冲 | 第40-42页 |
| ·LDMOS器件的电热效应 | 第42-44页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第44-46页 |
| 第二章 LDMOS器件电热效应的研究进展 | 第46-68页 |
| ·序言 | 第46页 |
| ·研究电热效应的必要性和重要性 | 第46-49页 |
| ·热流方程和半导体基本方程的耦合 | 第49-54页 |
| ·电模型所用的半导体基本方程 | 第50-51页 |
| ·电热模型所用的半导体基本方程和热流方程 | 第51-53页 |
| ·边界条件 | 第53-54页 |
| ·半导体器件电热效应的研究进展 | 第54-57页 |
| ·LDMOS电热效应方面的研究进展 | 第57-60页 |
| ·静电放电简介 | 第60-64页 |
| ·LDMOS的ESD能力的研究进展 | 第64-66页 |
| ·小结 | 第66-68页 |
| 第三章 LDMOS器件的温度公式推导 | 第68-88页 |
| ·序言 | 第68-69页 |
| ·LDMOS的器件结构和基本特性 | 第69-75页 |
| ·器件结构 | 第69页 |
| ·击穿特性 | 第69-71页 |
| ·阈值电压 | 第71页 |
| ·比导通电阻 | 第71-72页 |
| ·输出特性 | 第72-74页 |
| ·开关特性 | 第74-75页 |
| ·LDMOS器件的等效热路 | 第75-76页 |
| ·单脉冲作用下的升温公式 | 第76-78页 |
| ·单脉冲作用下的降温公式 | 第78页 |
| ·多脉冲作用下的温度公式 | 第78-79页 |
| ·温度公式的适用性证明 | 第79-87页 |
| ·温度弛豫时间的简单定义 | 第80页 |
| ·降温公式的适用性证明 | 第80-82页 |
| ·多脉冲作用下温度公式的适用性证明 | 第82-87页 |
| ·暂态响应和稳态响应 | 第82-85页 |
| ·脉冲信号参数对温度特性的影响 | 第85-86页 |
| ·暂态响应和稳态响应的实验结果 | 第86-87页 |
| ·小结 | 第87-88页 |
| 第四章 LDMOS在不同频率下的热安全工作公式推导 | 第88-98页 |
| ·序言 | 第88-89页 |
| ·较低频率下的热安全工作公式 | 第89-92页 |
| ·单脉冲作用下的热安全工作公式 | 第89-90页 |
| ·多脉冲作用下的热安全工作公式 | 第90-91页 |
| ·热安全工作公式的适用性 | 第91-92页 |
| ·较高频率下的热安全工作公式 | 第92-94页 |
| ·较高频率下的热安全工作公式 | 第92页 |
| ·热安全工作公式的适用性 | 第92-94页 |
| ·热安全工作公式的适用性证明 | 第94-95页 |
| ·热缓慢击穿现象和热安全工作区 | 第95-96页 |
| ·小结 | 第96-98页 |
| 第五章 GG-LDMOS在瞬态大电流单脉冲下的温度特性 | 第98-110页 |
| ·序言 | 第98-101页 |
| ·等温分析和电热分析的输出特性曲线 | 第101-104页 |
| ·输出特性曲线的比较 | 第101-102页 |
| ·触发点的不同及其原因分析 | 第102-104页 |
| ·电热分析与实验结果更符合 | 第104-109页 |
| ·等温曲线、电热曲线及与实验数据的比较 | 第104-105页 |
| ·电热分析与实验结果符合更好的原因及分析 | 第105-109页 |
| ·晶格温度在空间上的分布特点 | 第105-107页 |
| ·漏极电压弛豫时间和晶格温度弛豫时间的关系 | 第107-109页 |
| ·小结 | 第109-110页 |
| 第六章 GC-LDMOS在瞬态大电流单脉冲下的温度特性 | 第110-122页 |
| ·序言 | 第110-111页 |
| ·仿真条件和结果 | 第111-113页 |
| ·功率密度随栅压升高而增加的原因 | 第113-119页 |
| ·电场强度随栅压的变化 | 第113-115页 |
| ·电流密度随栅压的变化 | 第115-119页 |
| ·脉冲宽度对最高温度的影响 | 第119-120页 |
| ·讨论 | 第120页 |
| ·小结 | 第120-122页 |
| 第七章 结论和展望 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-136页 |
| 附录 缩略语表 | 第136-138页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第138页 |
