摘要 | 第1-8页 |
ABSTRACT | 第8-13页 |
第1章 引言 | 第13-28页 |
·概述 | 第13页 |
·半导体纳米晶 | 第13-21页 |
·半导体纳米晶的发光原理和发光特性 | 第14-15页 |
·半导体纳米晶的制备 | 第15-17页 |
·半导体纳米晶的应用研究进展 | 第17-21页 |
·半导体纳米晶的复合与组装 | 第21-26页 |
·Langmuir-Blodgett技术 | 第21-23页 |
·自组装技术 | 第23-26页 |
·L-B技术与静电自组装技术的比较 | 第26页 |
·研究目标与内容 | 第26-28页 |
·研究目标 | 第26-27页 |
·研究内容 | 第27-28页 |
第2章 CdSe/CdS核壳结构半导体纳米晶的制备研究 | 第28-39页 |
·实验部分 | 第28-30页 |
·试剂与仪器 | 第28-29页 |
·实验部分 | 第29-30页 |
·性质测试与表征 | 第30页 |
·结果与分析 | 第30-38页 |
·CdSe/CdS纳米晶的结构特征 | 第30-31页 |
·CdSe/CdS半导体纳米晶的紫外-可见吸光光谱 | 第31-32页 |
·CdSe/CdS半导体纳米晶的荧光光谱 | 第32-33页 |
·不同反应物配比的CdSe/CdS纳米晶溶液的紫外和荧光光谱 | 第33-34页 |
·不同前躯体溶液浓度的CdSe/CdS纳米晶溶液的紫外和荧光光谱 | 第34-36页 |
·不同pH值前驱体溶液的CdSe/CdS纳米晶溶液的紫外和荧光光谱 | 第36-37页 |
·不同回流时间的CdSe/CdS纳米晶溶液的荧光光谱 | 第37-38页 |
·结论 | 第38-39页 |
第3章 CdTe/CdS核壳半导体纳米晶的制备及其量子产率测定 | 第39-58页 |
·实验部分 | 第39-40页 |
·试剂与仪器 | 第39-40页 |
·实验部分 | 第40页 |
·性质测试与表征 | 第40页 |
·结果与分析 | 第40-56页 |
·CdTe/CdS半导体纳米晶的TEM分析 | 第40-42页 |
·CdTe/CdS半导体纳米晶的紫外-可见吸光光谱 | 第42-43页 |
·CdTe/CdS半导体纳米晶的荧光光谱 | 第43-44页 |
·不同水质的CdTe/CdS半导体纳米晶的荧光光谱 | 第44页 |
·不同放置时间的CdTe/CdS半导体纳米晶的荧光光谱 | 第44-45页 |
·不同回流时间的CdTe/CdS半导体纳米晶的荧光光谱 | 第45-49页 |
·CdTe/CdS纳米晶量子产率的测定 | 第49-56页 |
·结论 | 第56-58页 |
第4章 CdTe/PDDA自组装膜的制备及其表征 | 第58-75页 |
·实验部分 | 第58-61页 |
·试剂与仪器 | 第58-59页 |
·实验部分 | 第59-60页 |
·性质测试与表征 | 第60-61页 |
·结果与分析 | 第61-74页 |
·CdTe纳米晶与PDDA静电自组装过程 | 第61页 |
·CdTe溶液、PDDA溶液和CdTe/PDDA薄膜的荧光光谱 | 第61-62页 |
·不同层数的CdTe/PDDA自组装膜的紫外和荧光光谱 | 第62-67页 |
·不同粒子大小的CdTe纳米晶与PDDA自组装膜的紫外和荧光光谱 | 第67-68页 |
·CdTe/PDDA自组装膜的原子力显微镜图谱分析 | 第68-72页 |
·CdTe/PDDA自组装膜的XPS图谱分析 | 第72-74页 |
·结论 | 第74-75页 |
第5章 Gemini单分子膜及其与CdTe纳米晶组装膜研究 | 第75-88页 |
·实验部分 | 第75-77页 |
·试剂与仪器 | 第75-76页 |
·实验部分 | 第76页 |
·性质测试与表征 | 第76-77页 |
·结果与分析 | 第77-86页 |
·Gemini单分子膜在纯水亚相上的π-A曲线 | 第77-80页 |
·Gemini单分子膜在不同亚相上的π-A曲线 | 第80-82页 |
·CdTe纳米晶与Gemini分子组装单分子膜 | 第82-86页 |
·结论 | 第86-88页 |
第6章 结论与展望 | 第88-90页 |
·结论 | 第88-89页 |
·进一步工作的方向 | 第89-90页 |
致谢 | 第90-91页 |
参考文献 | 第91-97页 |
个人简历 在读期间发表的学术论文与研究成果 | 第97页 |
个人简历: | 第97页 |
已发表论文: | 第97页 |
发明专利: | 第97页 |