| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-44页 |
| ·引言 | 第12-14页 |
| ·硅薄膜太阳能电池研究进展 | 第14-22页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·太阳能电池的工作原理 | 第15-16页 |
| ·a-Si薄膜太阳能电池 | 第16-20页 |
| ·poly-Si薄膜太阳能电池 | 第20-21页 |
| ·硅基薄膜太阳能电池的发展趋势及应用前景 | 第21-22页 |
| ·二氧化锡透明导电薄膜的研究进展 | 第22-24页 |
| ·纯SnO_2薄膜 | 第22-23页 |
| ·掺锑SnO_2薄膜 | 第23页 |
| ·掺氟SnO_2薄膜 | 第23-24页 |
| ·ITO透明导电氧化物薄膜的性能 | 第24-28页 |
| ·ITO薄膜的结构及能带 | 第24-25页 |
| ·ITO薄膜的电学性质 | 第25-26页 |
| ·ITO薄膜的光学性质 | 第26-28页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的制备方法 | 第28-34页 |
| ·磁控溅射镀膜 | 第28页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第28-29页 |
| ·化学气相沉积 | 第29-30页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第30-33页 |
| ·喷射热分解法 | 第33-34页 |
| ·透明导电薄膜的研究现状及应用 | 第34-38页 |
| ·等离子增强化学气相沉积a-Si薄膜 | 第38-40页 |
| ·Poly-Si薄膜的制备方法 | 第40-42页 |
| ·本课题研究的目的和主要内容 | 第42-44页 |
| 第2章 玻璃基掺氟SnO_2薄膜溶胶-凝胶法制备及其性能研究 | 第44-57页 |
| ·Sol-Gel工艺合成FTO薄膜的反应机理 | 第44页 |
| ·掺氟的SnO_2薄膜的导电机理 | 第44-46页 |
| ·实验过程 | 第46-49页 |
| ·SiO_2和FTO溶胶的配制 | 第46-47页 |
| ·玻璃衬底的清洗 | 第47-48页 |
| ·SiO_2薄膜的制备 | 第48页 |
| ·FTO导电薄膜的制备 | 第48-49页 |
| ·氟掺杂二氧化锡薄膜的结构和性能表征 | 第49-54页 |
| ·UV-Vis透过率分析 | 第49-50页 |
| ·XRD分析 | 第50-52页 |
| ·SEM分析 | 第52-53页 |
| ·XPS分析 | 第53-54页 |
| ·喷涂法制备SnO_2薄膜 | 第54-56页 |
| ·实验过程 | 第54-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第3章 玻璃基掺Sb的SnO_2薄膜Sol-Gel法制备与性能研究 | 第57-70页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·实验过程 | 第57-60页 |
| ·Sol-Gel工艺合成SnO_2:Sb材料的反应机理 | 第57-58页 |
| ·Sb掺杂SnO_2溶胶的配制 | 第58-59页 |
| ·Sb掺杂SnO_2薄膜的制备 | 第59-60页 |
| ·不同热处理温度对薄膜结构和性能的影响 | 第60-64页 |
| ·镀膜试样的XRD测试分析 | 第60页 |
| ·镀膜试样的紫外-可见光透过率分析 | 第60-61页 |
| ·薄膜样品的XPS分析 | 第61-63页 |
| ·镀膜试样的SEM测试分析 | 第63页 |
| ·结果讨论与分析 | 第63-64页 |
| ·不同锑掺杂浓度对薄膜的结构和性能的影响 | 第64-69页 |
| ·薄膜样品的XRD分析 | 第64-65页 |
| ·薄膜试样的TEM测试分析 | 第65页 |
| ·镀膜试样的紫外—可见光透过率测试分析 | 第65-66页 |
| ·镀膜试样的XPS测试分析 | 第66-67页 |
| ·镀膜试样的电学性能测试分析 | 第67-68页 |
| ·结果与讨论分析 | 第68-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 第4章 磁控溅射制备ITO薄膜及其性能研究 | 第70-84页 |
| ·实验过程 | 第70-71页 |
| ·薄膜微观结构与性能表征的方法 | 第71-72页 |
| ·薄膜结构的测定 | 第71-72页 |
| ·薄膜表面形貌的测定 | 第72页 |
| ·薄膜成分的测定 | 第72页 |
| ·光学性能测定 | 第72页 |
| ·薄膜方阻及电阻率的测试 | 第72页 |
| ·铟锡合金靶制备ITO薄膜及性能表征 | 第72-77页 |
| ·氧分压对ITO薄膜光电性能的影响 | 第73-74页 |
| ·不同氧分压ITO薄膜XRD分析 | 第74-75页 |
| ·不同氧分压ITO薄膜SEM分析 | 第75-76页 |
| ·耐磨性和粘附性测试 | 第76页 |
| ·化学稳定性测试和刻蚀性测试 | 第76-77页 |
| ·铟锡陶瓷靶磁控溅射制备ITO薄膜 | 第77-82页 |
| ·衬底温度对ITO薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带的影响 | 第78-79页 |
| ·衬底温度对ITO薄膜透过率的影响 | 第79-80页 |
| ·衬底温度对ITO薄膜晶相结构的影响 | 第80-81页 |
| ·氧分压对ITO薄膜透过率的影响 | 第81-82页 |
| ·小结 | 第82-84页 |
| 第5章 a-Si薄膜PECVD制备及其性能研究 | 第84-89页 |
| ·PECVD法制备a-Si薄膜生长机理 | 第84-85页 |
| ·磷掺杂非晶硅薄膜的制备 | 第85-87页 |
| ·硼掺杂非晶硅薄膜的制备 | 第87-88页 |
| ·小结 | 第88-89页 |
| 第6章 金属铝诱导a-Si薄膜制备Poly-Si薄膜 | 第89-101页 |
| ·铝膜厚度对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第89-92页 |
| ·XRD分析 | 第89-90页 |
| ·Raman分析 | 第90-91页 |
| ·表面形貌分析 | 第91-92页 |
| ·退火温度对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第92-96页 |
| ·XRD分析 | 第93-94页 |
| ·SEM分析 | 第94-95页 |
| ·Raman分析 | 第95-96页 |
| ·退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第96-99页 |
| ·XRD分析 | 第97-98页 |
| ·Raman分析 | 第98-99页 |
| ·薄膜样品的形貌分析 | 第99页 |
| ·小结 | 第99-101页 |
| 第7章 氟碳疏水自洁净薄膜磁控溅射法制备及性能研究 | 第101-108页 |
| ·前言 | 第101页 |
| ·实验 | 第101-103页 |
| ·薄膜的制备 | 第101-102页 |
| ·薄膜的表征及表面能的测试 | 第102-103页 |
| ·结果与讨论 | 第103-107页 |
| ·溅射气氛对薄膜表面形态的影响 | 第103-104页 |
| ·XPS分析 | 第104-106页 |
| ·薄膜疏水性及表面能分析 | 第106-107页 |
| ·小结 | 第107-108页 |
| 第8章 结论 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第120页 |
