| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·MgB_2的发现、研究背景及应用 | 第9-10页 |
| ·MgB_2的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·MgB_2超导薄膜样品的制备 | 第11-13页 |
| ·MgB_2超导薄膜的分析方法及形貌特征 | 第13-15页 |
| ·MgB_2超导薄膜样品的测试方法 | 第15-17页 |
| ·本论文的工作 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-19页 |
| 第二章 MgB_2薄膜样品ρ-T曲线研究其各向异性及钉扎势--- | 第19-36页 |
| ·引言 | 第19-22页 |
| ·混合态的磁通 | 第19页 |
| ·磁通蠕动 | 第19-22页 |
| ·实验内容介绍 | 第22-23页 |
| ·由ρ-T曲线研究MgB_2的临界场 | 第23-27页 |
| ·上临界场的确定方法 | 第24页 |
| ·上临界场各向异性讨论 | 第24-26页 |
| ·上临界场与温度关系 | 第26页 |
| ·不可逆场的确定 | 第26-27页 |
| ·由ρ-T 曲线展宽研究钉扎势 U_0 | 第27-33页 |
| ·由ρ-T曲线确定钉扎势U_0 | 第27-29页 |
| ·钉扎势U_0与磁场的依赖关系 | 第29-32页 |
| ·钉扎势U_0与温度的依赖关系 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 MgB_2薄膜样品 I-V特性曲线的研究 | 第36-46页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验测量MgB_2薄膜样品的I-V曲线特征 | 第37-40页 |
| ·电测量中临界电流密度J_c的确定 | 第40-42页 |
| ·拆对电流 J_D的确定 | 第42-43页 |
| ·I-V 曲线中低电压区域的阶梯状响应 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第四章 MgB_2 薄膜样品磁滞回线及钉扎力的研究 | 第46-60页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·磁滞回线M-H 曲线与临界电流密度 | 第47-49页 |
| ·临界电流密度与磁场的依赖关系 | 第49-52页 |
| ·钉扎力的标度行为 | 第52-53页 |
| ·MgB_2薄膜样品钉扎力性质 | 第53-55页 |
| ·临界电流密度与温度的依赖关系 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第五章 MgB_2薄膜样品磁弛豫及有效钉扎势的研究 | 第60-68页 |
| ·磁通蠕动模型中的U (J)关系及磁弛豫率 | 第60-61页 |
| ·实验 | 第61-63页 |
| ·磁弛豫率 | 第63-64页 |
| ·有效钉扎势 | 第64-65页 |
| ·小磁场区的磁通跳跃 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-68页 |
| 第六章 总结与展望 | 第68-69页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
