基于密度泛函微扰理论的砷化镓电光张量研究

第一章 绪论	第1-11页
第二章 多体问题和密度泛函理论	第11-18页
·多体问题	第11-12页
·密度泛函理论	第12-15页
·交换相关项	第15-16页
·Bloch 定理	第16页
·平面波形式的Kohn-Sham 方程	第16-17页
·赝势	第17-18页
第三章 密度泛函微扰理论	第18-26页
·线性响应和Green 函数方法	第18-19页
·(2n+1) 定理	第19-21页
·Kohn-Sham 能量函数的微扰处理	第21-22页
·标度自由	第22页
·联系Green 函数方法	第22-23页
·基于DFPT 的晶格动力学	第23-24页
·有限电场响应和Berry 相近似	第24-26页
第四章 非线性光学和电光张量	第26-35页
·非线性光学	第26-27页
·光折变效应和电光张量	第27-32页
·电光张量与密度泛函微扰论的联系	第32-34页
·ABINIT 简介	第34-35页
第五章 GaAs和c-BN 的晶格特性探讨	第35-48页
·晶体的结构和计算参数	第35-39页
·平衡的能带结构	第39-42页
·晶格动力学声子色散	第42-43页
·压电张量	第43-45页
·声电耦合—Born 有效电荷和电光张量	第45-48页
第六章结论与展望	第48-49页
·主要结论	第48页
·存在的问题与展望	第48-49页
致谢	第49-50页
在校期间科研成果	第50-51页
参考文献	第51-53页