ZnO纳米线自组装可控生长的研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-22页 |
·引言 | 第9-10页 |
·纳米线的特殊性能 | 第10-11页 |
·纳米线的电性能 | 第10-11页 |
·纳米线的电导量子化 | 第10页 |
·纳米线的非线性I-V 行为 | 第10页 |
·超导现象 | 第10-11页 |
·纳米线的光性能 | 第11页 |
·纳米线的磁性能和巨磁电阻现象 | 第11页 |
·纳米 ZnO 的研究与发展 | 第11-17页 |
·氧化锌的结构 | 第11-12页 |
·纳米ZnO 的研究概况 | 第12-17页 |
·纳米ZnO 光性能的研究与发展 | 第13-15页 |
·纳米ZnO 电性能的研究与发展 | 第15页 |
·纳米ZnO 的量子限域效应 | 第15-16页 |
·纳米ZnO 与其他材料的复合 | 第16-17页 |
·ZnO 纳米线的制备方法 | 第17-20页 |
·模板限制辅助生长法 | 第17页 |
·金属有机气相外延(MOVPE) | 第17-18页 |
·热蒸发 | 第18-19页 |
·气相沉积法 | 第19-20页 |
·ZnO 纳米线的潜在应用 | 第20页 |
·本研究的目的和意义 | 第20-22页 |
第二章 化学气相沉积原理及分析原理 | 第22-30页 |
·化学气相沉积系统(CVD)简介 | 第22-23页 |
·化学气相沉积(CVD)原理与技术 | 第23-26页 |
·ZnO 纳米线的结构分析和形貌表征 | 第26-30页 |
·X 射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第27-29页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第29-30页 |
第三章 CVD 法制备氧化锌纳米线 | 第30-35页 |
·ZnO 纳米线的合成过程 | 第30-32页 |
·蒸发源的准备 | 第31页 |
·基片的清洗 | 第31页 |
·催化剂的制作 | 第31页 |
·氧化锌纳米线的合成 | 第31-32页 |
·纳米线的生长方式 | 第32-35页 |
·VLS 生长方式 | 第32-33页 |
·VS 生长方式 | 第33页 |
·催化剂诱导一维材料的生长 | 第33-35页 |
第四章 氧化锌纳米线的实验结果与分析 | 第35-49页 |
·催化剂对制备 ZnO 纳米线的影响 | 第35-40页 |
·催化剂对纳米线生长位置的控制 | 第35-38页 |
·催化剂对ZnO 纳米线尺度的控制 | 第38-39页 |
·不同催化剂对ZnO 纳米线生长的影响 | 第39-40页 |
·源温度对制备 ZnO 纳米线的影响 | 第40-41页 |
·衬底温度对制备 ZnO 纳米线的影响 | 第41-44页 |
·衬底对 ZnO 纳米线生长的影响 | 第44-45页 |
·其它因素对ZnO 纳米线的影响 | 第45-46页 |
·ZnO 纳米线生长模式的讨论 | 第46-49页 |
第五章 氧化锌纳米线的紫外敏感性能研究 | 第49-58页 |
·ZnO 纳米线的紫外敏感特性 | 第49-51页 |
·不同取向的 ZnO 纳米线阵列紫外响应 | 第51-55页 |
·氧对 ZnO 纳米线光响应的影响 | 第55-56页 |
·ZnO 纳米线表面结构变化引起的光响应 | 第56-58页 |
结论 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-62页 |
致谢 | 第62-63页 |
个人简历、在读期间发表的论文 | 第63页 |