| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-21页 |
| §1.1 原子钟的研究与发展 | 第7-12页 |
| §1.2 不同原子钟的物理工作原理及其性能对比 | 第12-17页 |
| §1.2.1 氢激射器型原子频标的物理工作原理 | 第12-13页 |
| §1.2.2 光抽运型铷原子频标的物理工作原理 | 第13-14页 |
| §1.2.3 铯束型原子钟的物理工作原理 | 第14-15页 |
| §1.2.4 原子喷泉型铯原子钟的物理工作原理 | 第15-16页 |
| §1.2.5 几种原子频标及晶振的性能对比 | 第16-17页 |
| §1.3 芯片级原子钟的研究概况 | 第17-18页 |
| §1.4 芯片级原子钟的意义与应用 | 第18-19页 |
| §1.5 本论文的研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 MEMS技术在芯片级原子钟中的应用 | 第21-33页 |
| §2.1 MEMS技术简介 | 第21-24页 |
| §2.2 MEMS封装技术 | 第24-25页 |
| §2.3 MEMS封装中的键合技术 | 第25-28页 |
| §2.4 芯片级原子钟结构及MEMS技术在其中的应用 | 第28-29页 |
| §2.5 现有原子钟气体盒的制作方法 | 第29-32页 |
| §2.5.1 玻璃吹制法 | 第29-30页 |
| §2.5.2 低温阳极键合法 | 第30-32页 |
| §2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 芯片级原子钟的理论与设计 | 第33-51页 |
| §3.1 芯片级原子钟的CPT理论 | 第33-35页 |
| §3.2 芯片级原子钟的噪声基本模型与稳定度表征 | 第35-38页 |
| §3.3 MEMS芯片级原子钟的设计 | 第38-49页 |
| §3.3.1 MEMS芯片级原子钟的温度控制设计 | 第38-41页 |
| §3.3.2 MEMS芯片级原子钟的磁屏蔽设计 | 第41-43页 |
| §3.3.3 MEMS芯片级原子钟的激光稳频设计 | 第43-47页 |
| §3.3.4 MEMS芯片级原子钟的气体盒设计 | 第47-49页 |
| §3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 气体盒的气密性封装研究 | 第51-67页 |
| §4.1 气体盒的封装工艺研究 | 第51-56页 |
| §4.2 封装样品的气密性检测 | 第56-60页 |
| §4.2.1 氦气细检 | 第56-59页 |
| §4.2.2 氟油粗检 | 第59-60页 |
| §4.3 封装样品的剪切力检测 | 第60-61页 |
| §4.4 封装样品的热循环可靠性测试 | 第61-62页 |
| §4.5 样品气密性的理论讨论 | 第62-65页 |
| §4.6 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| §5.1 本文的工作总结 | 第67页 |
| §5.2 进一步的研究工作展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 发表文章 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 个人简历 | 第79-81页 |
| 附件一：论文独创性声明及使用授权声明 | 第81页 |