| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·面发射激光器的种类 | 第8-9页 |
| ·垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构和特点 | 第9-10页 |
| ·垂直腔面发射激光器的结构 | 第9页 |
| ·垂直腔面发射激光器(VCSELs)的特点 | 第9-10页 |
| ·垂直腔面发射激光器(VCSEL)的制备工艺 | 第10页 |
| ·垂直腔面发射激光器(VCSEL)的发展水平及应用 | 第10-16页 |
| ·蓝光和近紫外光VCSELs | 第11-12页 |
| ·630-670nm波段 | 第12页 |
| ·780-980nm波段 | 第12-13页 |
| ·长波长1300，1550nm | 第13-14页 |
| ·2-2.5μm波段 | 第14-15页 |
| ·VCSELs列阵 | 第15-16页 |
| ·垂直腔面发射激光器研制中的关键难点 | 第16页 |
| ·本论文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 大功率980nmVCSEL的理论计算和结构设计 | 第17-32页 |
| ·理论计算的意义 | 第17页 |
| ·量子阱有源区的设计 | 第17-27页 |
| ·应变量子阱对能带漂移的影响 | 第17-18页 |
| ·InGaAs／GaAs量子阱中能级的计算 | 第18-19页 |
| ·器件发射波长的确定 | 第19-20页 |
| ·价带色散曲线的确定 | 第20-22页 |
| ·电子、空穴态密度的计算 | 第22-24页 |
| ·由态密度确定价带和导带准费米能级与注入载流子浓度的关系 | 第24页 |
| ·增益计算 | 第24-25页 |
| ·峰值增益与载流子浓度的关系 | 第25-26页 |
| ·阈值电流与阱数及腔长和优化阱数的关系 | 第26-27页 |
| ·垂直腔面发射激光器中高反射率反射镜的设计 | 第27-29页 |
| ·垂直腔面发射激光器结构的总体设计 | 第29-32页 |
| ·中间1λ光学谐振腔的设计 | 第29-30页 |
| ·整个外延片结构的设计 | 第30-32页 |
| 第三章 VCSEL的制备工艺研究 | 第32-37页 |
| ·湿法腐蚀工艺研究 | 第32-33页 |
| ·AlAs氧化工艺研究 | 第33-35页 |
| ·AlAs氧化工艺的原理 | 第33页 |
| ·AlAs氧化工艺的实验与优化 | 第33-35页 |
| ·低欧姆接触电阻工艺研究 | 第35-37页 |
| ·n型GaAs的欧姆接触 | 第36页 |
| ·p型GaAs的欧姆接触 | 第36页 |
| ·优化的合金工艺条件 | 第36-37页 |
| 第四章 大功率980nm垂直腔面发射激光器的制作工艺 | 第37-40页 |
| ·外延片的生长技术和结构 | 第37页 |
| ·外延片的生长技术介绍 | 第37页 |
| ·分子束外延(MBE)技术 | 第37页 |
| ·外延片的结构 | 第37页 |
| ·N面出光的VCSEL的制作过程 | 第37-38页 |
| ·器件的制作过程 | 第37-38页 |
| ·器件的结构 | 第38页 |
| ·P面出光的VCSEL的制作过程 | 第38页 |
| ·边发射器件的制作过程 | 第38-40页 |
| 第五章 大功率垂直腔面发射激光器器件的测试结果 | 第40-47页 |
| ·垂直腔面发射激光器器件特性的测试 | 第40-42页 |
| ·边发射激光器器件特性的测试 | 第42页 |
| ·VCSEL的变温工作测试及分析 | 第42-47页 |
| 第六章 总结与展望 | 第47-48页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-51页 |
