| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-21页 |
| ·低介电常数材料的研究现状 | 第9-11页 |
| ·a-C:F薄膜的研究概况 | 第11-17页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第17-21页 |
| 第二章 SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜的制备和后退火处理方法 | 第21-24页 |
| ·微波ECR-CVD装置及原理 | 第21-22页 |
| ·SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜的制备方法 | 第22-23页 |
| ·SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜的退火处理方法 | 第23-24页 |
| 第三章 SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜的结构与介电性能的表征 | 第24-38页 |
| ·SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜的几何结构 | 第24页 |
| ·SiO_x厚度对SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜介电常数的影响 | 第24-26页 |
| ·SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜与单层a-C:F薄膜的红外谱图分析 | 第26-28页 |
| ·SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜的紫外-可见透射光谱图(UV-VIS)分析 | 第28-32页 |
| ·SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜的x射线光电子能谱(XPS)分析 | 第32-38页 |
| 第四章 退火对SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜键结构及介电性能的影响 | 第38-42页 |
| ·退火前后多层膜和单层a-C:F膜红外键结构的比较 | 第38-40页 |
| ·退火对多层膜厚度及介电常数的影响 | 第40-42页 |
| 第五章 结论 | 第42-44页 |
| 附录: 攻读硕士学位期间公开发表的文章 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45页 |
