摘 要 | 第1-10页 |
第一章 序言 | 第10-15页 |
·脉冲激光烧蚀和沉积的发展背景 | 第10-11页 |
·III 族氮化物 | 第11页 |
·硼碳氮系材料 | 第11-12页 |
·本文主要内容和结构 | 第12-13页 |
参考文献 | 第13-15页 |
第二章 脉冲激光烧蚀和活性源辅助脉冲激光沉积方法 | 第15-25页 |
·脉冲激光烧蚀和脉冲激光沉积的基本特征 | 第15-17页 |
·ECR 等离子体辅助脉冲激光沉积 | 第17-20页 |
·ECR 等离子体 | 第17-18页 |
·ECR 等离子体辅助脉冲激光沉积 | 第18-20页 |
·原子束辅助脉冲激光沉积 | 第20-22页 |
·辉光放电和弧光放电 | 第20-21页 |
·辉光放电原子束辅助脉冲激光沉积 | 第21-22页 |
·离子束辅助脉冲激光沉积 | 第22-24页 |
参考文献 | 第24-25页 |
第三章 激光烧蚀铜等离子体的时空特征 | 第25-41页 |
·激光烧蚀等离子体的研究意义和诊断 | 第25-26页 |
·时空积分和分辨的等离子体光谱测量系统 | 第26-27页 |
·真空中铜等离子体光谱的时空特征 | 第27-30页 |
·等离子体连续谱 | 第27-28页 |
·离子和原子发射谱线 | 第28-29页 |
·离子和原子发射谱的时空特征 | 第29-30页 |
·非活性背景气体对铜等离子体光谱的的影响 | 第30-36页 |
·背景气体对等离子体光谱时间特征的影响 | 第30-32页 |
·背景气体对等离子体光谱空间特征的影响 | 第32-35页 |
·背景气体对等离子体发光粒子运动速度的影响 | 第35-36页 |
·脉冲激光烧蚀铜等离子体动力学 | 第36-38页 |
·小结 | 第38-39页 |
参考文献 | 第39-41页 |
第四章 III 族氮化物 AlN 和 GaN 薄膜的制备 | 第41-58页 |
·引言 | 第41-42页 |
·以烧结 AlN 和金属 Al 为靶材料制备 AlN 薄膜 | 第42-48页 |
·制备和表征方法 | 第42-43页 |
·实验结果和分析 | 第43-48页 |
·薄膜中杂质 O 的来源和 ECR-PLD 方法的优点 | 第48页 |
·氮化铝薄膜的光致发光 | 第48-50页 |
·ECR-PLD 方法制备 GaN 薄膜 | 第50-55页 |
·制备和表征方法 | 第50-51页 |
·实验结果和分析 | 第51-54页 |
·关于 As 的讨论 | 第54-55页 |
·小结 | 第55页 |
参考文献 | 第55-58页 |
第五章 BC薄膜和BCN薄膜的制备 | 第58-72页 |
·引言 | 第58-59页 |
·BC 薄膜 | 第59-63页 |
·制备和表征方法 | 第59页 |
·实验结果和分析 | 第59-63页 |
·BCN 薄膜 | 第63-69页 |
·制备和表征方法 | 第63-64页 |
·实验结果和分析 | 第64-69页 |
·小结 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-72页 |
第六章 CNx薄膜的制备 | 第72-87页 |
·引言 | 第72-73页 |
·ECR 等离子体辅助脉冲激光沉积 CNx 薄膜 | 第73-80页 |
·制备和表征方法 | 第73页 |
·薄膜的元素成分和化学结构 | 第73-76页 |
·衬底偏压的影响 | 第76-80页 |
·原子束辅助脉冲激光沉积制备 CNx 薄膜 | 第80-84页 |
·制备和表征方法 | 第80-81页 |
·实验结果和分析 | 第81-83页 |
·关于晶态的讨论 | 第83-84页 |
·小结 | 第84页 |
参考文献 | 第84-87页 |
第七章 总结 | 第87-89页 |
后记 | 第89-92页 |