| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-11页 |
| 第二章 理论基础 | 第11-27页 |
| （一） 锑化铟磁敏感元件的理论基础 | 第11-19页 |
| 2．1 半导体中的电磁效应 | 第11-17页 |
| 2．1．1 霍尔效应 | 第13-14页 |
| 2．1．2 磁阻效应 | 第14-17页 |
| 2．2 锑化铟磁敏电阻及其应用 | 第17-19页 |
| （二） 锑化铟磁阻转速传感器原理 | 第19-26页 |
| 2．3 几种转速传感器简介 | 第19-24页 |
| 2．3．1 磁电式转速传感器 | 第19-20页 |
| 2．3．2 电涡流式转速传感器 | 第20页 |
| 2．3．3 霍尔转速传感器 | 第20-21页 |
| 2．3．4 红外转速仪（光电式） | 第21页 |
| 2．3．5 电容式转速传感器 | 第21-22页 |
| 2．3．6 锑化铟磁阻转速传感器 | 第22-24页 |
| 2．4 噪声来源 | 第24-26页 |
| 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 锑化铟磁阻转速传感器信号处理电路设计 | 第27-50页 |
| 3．1 信号处理原理和转速计算式的推导 | 第27-30页 |
| 3．1．1 信号处理原理 | 第27-29页 |
| 3．1．2 转速计算式的推导 | 第29-30页 |
| 3．2 信号处理电路的设计环境 | 第30-34页 |
| 3．2．1 OrCAD／Pspice9简介 | 第30-31页 |
| 3．2．2 设计中使用的OrCAD／Pspice9功能介绍 | 第31-34页 |
| 3．2．2．1 AC Sweep／Noise交流小信号频率特性分析 | 第32-33页 |
| 3．2．2．2 Time Domain（Tranxient）瞬态分析 | 第33-34页 |
| 3．3 设计方案的选择 | 第34-49页 |
| 3．3．1 第一种方案：直接比较型信号处理电路 | 第34-41页 |
| 3．3．2 第二种方案：阻容耦合放大型信号处理电路 | 第41-46页 |
| 3．3．3 第三种方案：直接耦合放大型信号处理电路 | 第46-49页 |
| 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 锑化铟磁阻转速传感器优化 | 第50-55页 |
| （1） 差分放大器放大倍数的确定 | 第50页 |
| （2） 供电方式的改善 | 第50-51页 |
| （3） 电路保护方式的设计 | 第51-53页 |
| （4） 对锑化铟磁敏感元件的中间不对称性的要求 | 第53-54页 |
| 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 实验结果与分析 | 第55-70页 |
| 5．1 测试装置 | 第55-56页 |
| 5．2 实验结果与分析 | 第56-68页 |
| 5．2．1 磁敏电阻的灵敏度对传感器输出的影响 | 第56-57页 |
| 5．2．2 传感器的温度试验 | 第57-59页 |
| 5．2．3 传感器的稳定性及耐压试验 | 第59-61页 |
| 5．2．4 信号处理电路放大器输出端噪声的变化趋势分析 | 第61-63页 |
| 5．2．5 差分放大后的转速信号与间隙的关系 | 第63-65页 |
| 5．2．6 传感器的带负荷能力 | 第65-66页 |
| 5．2．7 传感器的线性特性 | 第66-68页 |
| 5．3 结论 | 第68-69页 |
| 本章小结 | 第69-70页 |
| 总结 | 第70-71页 |
| 主要参考资料 | 第71-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
