| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 前言 | 第6-12页 |
| 1．1 半导体纳米晶体的研究现状和进展 | 第6-8页 |
| 1．2 半导体纳米晶体的光学性 | 第8-11页 |
| 1．3 本论文的研究工作 | 第11-12页 |
| 第二章 半导体纳米晶体的电子结构 | 第12-21页 |
| 2．1 有效质量近似模型 | 第12-16页 |
| 2．2 紧束缚模型 | 第16-17页 |
| 2．3 光跃迁 | 第17-21页 |
| 第三章 CdS_（0．1）Se_（0．9）半导体纳米晶体的生长 | 第21-29页 |
| 3．1 半导体纳米晶体的制备方法 | 第21-23页 |
| 3．2 玻璃中生长半导体纳晶的原理 | 第23-24页 |
| 3．3 CdS_（0．1）Se_（0．9）半导体纳米晶体的制备 | 第24-29页 |
| 3．3．1 样品的制备 | 第25-26页 |
| 3．3．2 实验讨论 | 第26-29页 |
| 第四章 CdS_（0．1）Se_（0．9）纳米晶体的吸收光谱 | 第29-38页 |
| 4．1 实验 | 第29页 |
| 4．2 Cd_（0．1）S_（0．1）Se_（0．9）纳米晶体的吸收光谱 | 第29-35页 |
| 4．2．1 一步法和两步法生长的纳晶吸收光谱 | 第29-31页 |
| 4．2．2 两步法制备的纳晶吸收光谱 | 第31-35页 |
| 4．3 理论计算 | 第35-38页 |
| 第五章 CdS_（0．1）Se_（0．9）纳米晶体的电调制吸收光谱 | 第38-46页 |
| 5．1 电调制吸收谱的介绍 | 第38-40页 |
| 5．2 电吸收谱的实验装置 | 第40-41页 |
| 5．3 CdS_（0．1）Se_（0．9）纳米晶体的电吸收谱 | 第41-46页 |
| 5．3．1 实验 | 第41-42页 |
| 5．3．2 实验结果及讨论 | 第42-46页 |
| 第六章 结论 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 合作发表和待发表的文章 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
